calentador de revestimiento cerámico de carburo de silicio

Breve descripción:

Como fabricante y proveedor profesional de recubrimiento cerámico de carburo de silicio en China, el recubrimiento cerámico de carburo de silicio de Vet-China se usa ampliamente en componentes clave de equipos de fabricación de semiconductores, especialmente cuando están involucrados procesos CVD y PECVD. Vet-China se especializa en la fabricación y suministro de recubrimientos cerámicos de carburo de silicio de alto rendimiento y se compromete a brindar tecnología avanzada y soluciones de productos para la industria de semiconductores. Bienvenidos a sus consultas.


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Veterinario-ChinaCerámica de carburo de silicioEl recubrimiento es una capa protectora de alto rendimiento hecha de material extremadamente duro y resistente al desgaste.carburo de silicio (SiC)Material, que proporciona una excelente resistencia a la corrosión química y estabilidad a altas temperaturas. Estas características son cruciales en la producción de semiconductores, por lo queRecubrimiento cerámico de carburo de silicioSe utiliza ampliamente en componentes clave de equipos de fabricación de semiconductores.

El papel específico de Vet-ChinaCerámica de carburo de silicioEl recubrimiento en la producción de semiconductores es el siguiente:

Mejorar la durabilidad del equipo:Recubrimiento cerámico de carburo de silicio El recubrimiento cerámico de carburo de silicio proporciona una excelente protección de superficie para equipos de fabricación de semiconductores con su dureza y resistencia al desgaste extremadamente altas. Especialmente en entornos de proceso altamente corrosivos y de alta temperatura, como la deposición química de vapor (CVD) y el grabado por plasma, el recubrimiento puede prevenir eficazmente que la superficie del equipo se dañe por erosión química o desgaste físico, extendiendo así significativamente la vida útil de el equipo y reduciendo el tiempo de inactividad causado por el reemplazo y la reparación frecuentes.

Mejorar la pureza del proceso:En el proceso de fabricación de semiconductores, una pequeña contaminación puede provocar defectos en el producto. La inercia química del recubrimiento cerámico de carburo de silicio le permite permanecer estable en condiciones extremas, evitando que el material libere partículas o impurezas, asegurando así la pureza ambiental del proceso. Esto es particularmente importante para los pasos de fabricación que requieren alta precisión y alta limpieza, como PECVD y la implantación de iones.

Optimice la gestión térmica:En el procesamiento de semiconductores a alta temperatura, como el procesamiento térmico rápido (RTP) y los procesos de oxidación, la alta conductividad térmica del revestimiento cerámico de carburo de silicio permite una distribución uniforme de la temperatura dentro del equipo. Esto ayuda a reducir el estrés térmico y la deformación del material causada por las fluctuaciones de temperatura, mejorando así la precisión y consistencia de la fabricación del producto.

Admite entornos de procesos complejos:En procesos que requieren un control atmosférico complejo, como los procesos de grabado ICP y PSS, la estabilidad y resistencia a la oxidación del revestimiento cerámico de carburo de silicio garantizan que el equipo mantenga un rendimiento estable en funcionamiento a largo plazo, lo que reduce el riesgo de degradación del material o daño al equipo debido. a los cambios ambientales.

revestimiento cerámico de carburo de silicio
Calentador de grafito (4)

ECV SiC薄膜基本物理性能

Propiedades físicas básicas de CVD SiCrevestimiento

性质 / Propiedad

典型数值 / Valor típico

晶体结构 / Estructura cristalina

Fase β de la FCC多晶,主要为(111)取向

密度 / Densidad

3,21 g/cm³

硬度 / Dureza

2500 libras (carga de 500 g)

晶粒大小 / Tamaño del grano

2~10μm

纯度 / Pureza Química

99,99995%

热容 / Capacidad calorífica

640 J·kg-1·k-1

升华温度 / Temperatura de sublimación

2700 ℃

抗弯强度 / Resistencia a la flexión

415 MPa RT de 4 puntos

杨氏模量 / Módulo de Young

Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃

导热系数 / TermayoConductividad

300W·m-1·k-1

热膨胀系数 / Expansión Térmica (CTE)

4,5×10-6K-1

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