Deposición química de vapor (ECV) se refiere al proceso de depositar una película sólida sobre la superficie de un silicioobleamediante una reacción química de una mezcla de gases. Según las diferentes condiciones de reacción (presión, precursor), se puede dividir en varios modelos de equipos.
¿Para qué procesos se utilizan estos dos dispositivos?
PEVDLos equipos (Plasma Enhanced) son los más numerosos y utilizados, utilizados en OX, Nitruro, compuerta metálica, carbón amorfo, etc.; LPCVD (baja potencia) se usa generalmente en nitruro, poli, TEOS.
¿Cuál es el principio?
PECVD: un proceso que combina perfectamente la energía del plasma y la CVD. La tecnología PECVD utiliza plasma a baja temperatura para inducir una descarga luminosa en el cátodo de la cámara de proceso (es decir, la bandeja de muestras) a baja presión. Esta descarga luminosa u otro dispositivo de calentamiento puede elevar la temperatura de la muestra a un nivel predeterminado y luego introducir una cantidad controlada de gas de proceso. Este gas sufre una serie de reacciones químicas y plasmáticas y finalmente forma una película sólida sobre la superficie de la muestra.
LPCVD: la deposición química de vapor a baja presión (LPCVD) está diseñada para reducir la presión de funcionamiento del gas de reacción en el reactor a aproximadamente 133 Pa o menos.
¿Cuáles son las características de cada uno?
PECVD: un proceso que combina perfectamente la energía del plasma y la CVD: 1) Operación a baja temperatura (evitando daños al equipo por altas temperaturas); 2) Rápido crecimiento de la película; 3) No es exigente con los materiales: el buey, el nitruro, la compuerta metálica y el carbono amorfo pueden crecer; 4) Hay un sistema de monitoreo in situ que puede ajustar la receta mediante parámetros de iones, caudal de gas, temperatura y espesor de la película.
LPCVD: las películas delgadas depositadas por LPCVD tendrán una mejor cobertura de pasos, buen control de composición y estructura, alta tasa de deposición y rendimiento. Además, LPCVD no requiere gas portador, por lo que reduce en gran medida la fuente de contaminación por partículas y se usa ampliamente en industrias de semiconductores de alto valor agregado para la deposición de películas delgadas.
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Hora de publicación: 24 de julio de 2024