Susceptor epitaxial de barril de grafito epitaxial

Susceptor epitaxial de barril de grafito epitaxial

Susceptor epitaxial de barril de grafito epitaxiales un dispositivo de soporte y calentamiento especialmente diseñado que se utiliza para sujetar y calentar sustratos semiconductores durante procesos de fabricación como procesos de deposición o epitaxia.

Su estructura incluye típicamente cilíndrica o ligeramente en forma de barril, su superficie presenta múltiples bolsillos o plataformas para colocar las obleas, puede ser de diseño macizo o hueco, dependiendo del método de calentamiento.

Las principales funciones del susceptor de barril epitaxial:

-Soporte de sustrato: sujeta de forma segura múltiples obleas semiconductoras;
-Fuente de calor: proporciona las altas temperaturas necesarias para el crecimiento mediante calentamiento;
-Uniformidad de temperatura: asegura un calentamiento uniforme de los sustratos;
-Rotación: suele rotar durante el crecimiento para mejorar la temperatura y la uniformidad de la distribución del gas.

Principio de funcionamiento del susceptor de barril de grafito Epi:
- En el reactor epitaxial, el susceptor cilíndrico se calienta a la temperatura requerida (normalmente entre 1000 ℃ y 1200 ℃ para la epitaxia de silicio);
-El susceptor del barril gira para asegurar una distribución uniforme de la temperatura y el flujo de gas;
-Los gases de reacción se descomponen a altas temperaturas, formando capas epitaxiales en la superficie del sustrato.

Aplicaciones:
-Utilizado principalmente para el crecimiento epitaxial de silicio.
-También aplicable para epitaxia de otros materiales semiconductores como GaAs, InP, etc.

VET Energy utiliza grafito de alta pureza con recubrimiento CVD-SiC para mejorar la estabilidad química:

Las ventajas del susceptor de barril de epigrafito epitaxial VET Energy:

-Estabilidad a altas temperaturas;
-Buena uniformidad térmica;
-Puede procesar múltiples sustratos simultáneamente, mejorando la eficiencia de producción;
-Químicamente inerte, manteniendo un ambiente de crecimiento de alta pureza.