Granel de SiC sólido CVD de alta pureza

Breve descripción:

El rápido crecimiento de monocristales de SiC utilizando fuentes a granel de CVD-SiC (deposición química de vapor – SiC) es un método común para preparar materiales monocristalinos de SiC de alta calidad. Estos monocristales se pueden utilizar en una variedad de aplicaciones, incluidos dispositivos electrónicos de alta potencia, dispositivos optoelectrónicos, sensores y dispositivos semiconductores.

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VET Energy utiliza una pureza ultraaltacarburo de silicio (SiC)formado por deposición química de vapor(ECV)como material de partida para el cultivocristales de sicpor transporte físico de vapor (PVT). En PVT, el material de origen se carga en uncrisoly sublimado en un cristal semilla.

Se requiere una fuente de alta pureza para fabricar alta calidad.cristales de sic.

VET Energy se especializa en proporcionar SiC de partículas grandes para PVT porque tiene una densidad más alta que el material de partículas pequeñas formado por la combustión espontánea de gases que contienen Si y C. A diferencia de la sinterización en fase sólida o la reacción de Si y C, no requiere un horno de sinterización exclusivo ni un paso de sinterización que requiere mucho tiempo en un horno de crecimiento. Este material de partículas grandes tiene una tasa de evaporación casi constante, lo que mejora la uniformidad entre ejecuciones.

Introducción:
1. Prepare la fuente de bloque CVD-SiC: primero, debe preparar una fuente de bloque CVD-SiC de alta calidad, que suele ser de alta pureza y alta densidad. Esto se puede preparar mediante el método de deposición química de vapor (CVD) en condiciones de reacción apropiadas.

2. Preparación del sustrato: seleccione un sustrato apropiado como sustrato para el crecimiento de monocristales de SiC. Los materiales de sustrato comúnmente utilizados incluyen carburo de silicio, nitruro de silicio, etc., que combinan bien con el monocristal de SiC en crecimiento.

3. Calentamiento y sublimación: coloque la fuente y el sustrato del bloque CVD-SiC en un horno de alta temperatura y proporcione las condiciones de sublimación adecuadas. La sublimación significa que a alta temperatura, la fuente del bloque cambia directamente del estado sólido al estado de vapor y luego se vuelve a condensar en la superficie del sustrato para formar un solo cristal.

4. Control de temperatura: durante el proceso de sublimación, el gradiente de temperatura y la distribución de temperatura deben controlarse con precisión para promover la sublimación de la fuente del bloque y el crecimiento de monocristales. Un control de temperatura adecuado puede lograr una calidad de cristal y una tasa de crecimiento ideales.

5. Control de la atmósfera: Durante el proceso de sublimación, también es necesario controlar la atmósfera de reacción. Generalmente se utiliza gas inerte de alta pureza (como el argón) como gas portador para mantener la presión y la pureza adecuadas y evitar la contaminación por impurezas.

6. Crecimiento de un solo cristal: la fuente del bloque CVD-SiC sufre una transición de fase de vapor durante el proceso de sublimación y se vuelve a condensar en la superficie del sustrato para formar una estructura de un solo cristal. Se puede lograr un crecimiento rápido de monocristales de SiC mediante condiciones de sublimación adecuadas y control del gradiente de temperatura.