Filamento de renio puro profesional chino - Mocvd

Breve descripción:


  • Lugar de origen:Porcelana
  • Estructura cristalina:Fase FCCβ
  • Densidad :3,21 gramos/cm
  • Dureza :2500 Vickers
  • Tamaño de grano:2~10μm
  • Pureza química:99,99995%
  • Capacidad calorífica:640J·kg-1·K-1
  • Temperatura de sublimación:2700 ℃
  • Fuerza flexural:415 Mpa (RT 4 puntos)
  • Módulo de Young:430 Gpa (curva de 4 puntos, 1300 ℃)
  • Expansión Térmica (CTE):4.5 10-6K-1
  • Conductividad térmica :300 (W/MK)
  • Detalle del producto

    Etiquetas de producto

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    Portadores de grafito recubiertos de SiC

    Descripción del Producto

    Mantenemos tolerancias muy estrechas al aplicar el recubrimiento de SiC, utilizando mecanizado de alta precisión para garantizar un perfil susceptor uniforme. También producimos materiales con propiedades de resistencia eléctrica ideales para su uso en sistemas de calentamiento inductivo. Todos los componentes terminados vienen con un certificado de pureza y cumplimiento dimensional.

    Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC mediante el método CVD en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales, de modo que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos. formando una capa protectora SIC. El SIC formado está firmemente adherido a la base de grafito, dándole a la base de grafito propiedades especiales, haciendo así que la superficie del grafito sea compacta, libre de porosidad, resistente a altas temperaturas, a la corrosión y a la oxidación.

    2

    El proceso CVD ofrece una pureza y densidad teórica extremadamente altas de recubrimiento de SiC sin porosidad. Es más, como el carburo de silicio es muy duro, se puede pulir hasta obtener una superficie similar a un espejo. El recubrimiento de carburo de silicio (SiC) CVD brindó varias ventajas, incluida una superficie de pureza ultraalta y una durabilidad extremadamente alta. Como los productos recubiertos tienen un gran rendimiento en circunstancias de alto vacío y alta temperatura, son ideales para aplicaciones en la industria de semiconductores y otros entornos ultralimpios. También ofrecemos productos de grafito pirolítico (PG).

    Características principales:

    1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:

    La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.

    2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.

    3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

    4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.

    Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densidad

    (g/cc)

    3.21

    Resistencia a la flexión

    (Mpa)

    470

    Expansión térmica

    (10-6/K)

    4

    Conductividad térmica

    (W/mK)

    300

    Aplicación: El recubrimiento de carburo de silicio CVD ya se ha aplicado en industrias de semiconductores, como bandeja MOCVD, RTP y cámara de grabado de óxido, ya que el nitruro de silicio tiene una gran resistencia al choque térmico y puede soportar plasma de alta energía.
    -El carburo de silicio se usa ampliamente en semiconductores y recubrimientos.

    Capacidad de suministro:

    10000 pedazos/pedazos por mes
    Embalaje y entrega:
    Embalaje: embalaje estándar y resistente
    Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Paleta
    Puerto:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghái
    Plazo de entrega:

    Cantidad (piezas) 1 – 1000 >1000
    Est. Tiempo (días) 15 Para ser negociado

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