Fabricante chino de susceptor de epitaxia MOCVD de grafito recubierto de SiC

Imagen destacada del susceptor de epitaxia MOCVD de grafito recubierto de SiC del fabricante chino

Breve descripción:

Pureza < 5 ppm
‣ Buena uniformidad de dopaje
‣ Alta densidad y adherencia
‣ Buena resistencia anticorrosiva y al carbono.

‣ Personalización profesional
‣ Plazo de entrega corto
‣ Suministro estable
‣ Control de calidad y mejora continua

Epitaxia de GaN sobre zafiro(RGB/Mini/Micro LED);
Epitaxia de GaN sobre sustrato de Si(UVC);
Epitaxia de GaN sobre sustrato de Si(Dispositivo electrónico);
Epitaxia de Si sobre sustrato de Si(Circuito integrado);
Epitaxia de SiC sobre sustrato de SiC(Sustrato);
Epitaxia de InP sobre InP

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Susceptor MOCVD de alta calidad Compre en línea en China

Una oblea debe pasar por varios pasos antes de estar lista para su uso en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia del silicio, en la que las obleas se transportan sobre susceptores de grafito. Las propiedades y la calidad de los susceptores tienen un efecto crucial en la calidad de la capa epitaxial de la oblea.

Para fases de deposición de películas delgadas como epitaxia o MOCVD, VET suministra equipos de grafito ultrapuro utilizados para soportar sustratos u "obleas". En el centro del proceso, estos equipos, susceptores de epitaxia o plataformas satelitales para el MOCVD, se someten primero al entorno de deposición:

Temperatura alta.
Alto vacío.
Uso de precursores gaseosos agresivos.
Cero contaminación, ausencia de descamación.
Resistencia a ácidos fuertes durante las operaciones de limpieza.

VET Energy es el verdadero fabricante de productos personalizados de grafito y carburo de silicio con revestimiento para la industria fotovoltaica y de semiconductores. Nuestro equipo técnico proviene de las principales instituciones de investigación nacionales y puede brindarle soluciones de materiales más profesionales.

Desarrollamos continuamente procesos avanzados para proporcionar materiales más avanzados y hemos desarrollado una tecnología patentada exclusiva que puede hacer que la unión entre el recubrimiento y el sustrato sea más estrecha y menos propensa a desprenderse.

Características de nuestros productos:

1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas hasta 1700 ℃.
2. Alta pureza y uniformidad térmica.
3. Excelente resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
4. Alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
5. Vida útil más larga y más duradera

ECV SiC薄膜基本物理性能 Propiedades físicas básicas de CVD SiCrevestimiento
性质 / Propiedad	典型数值 / Valor típico
晶体结构 / Estructura cristalina	Fase β de la FCC多晶，主要为（111）取向
密度 / Densidad	3,21 g/cm³
硬度 / Dureza	2500 libras (carga de 500 g)
晶粒大小 / Tamaño del grano	2~10μm
纯度 / Pureza Química	99,99995%
热容 / Capacidad calorífica	640 J·kg^-1·k^-1
升华温度 / Temperatura de sublimación	2700 ℃
抗弯强度 / Resistencia a la flexión	415 MPa RT de 4 puntos
杨氏模量 / Módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
导热系数 / TermayoConductividad	300W·m^-1·k^-1
热膨胀系数 / Expansión Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1