SiC Tegita Grafito Duonluna Partois a ŝlosilokomponento uzita en semikonduktaĵproduktadprocezoj, precipe por SiC epitaksia ekipaĵo.Ni uzas nian patentitan teknologion por fari la duonlunonekstreme alta pureco,bonategaĵounuformecokaj bonega servodaŭro, same kielalta kemia rezisto kaj termika stabileco propraĵoj.
VET Energio estas lavera fabrikisto de personigitaj grafito kaj siliciokarbido-produktoj kun CVD-tegaĵo,povas provizidiversajpersonecigitaj partoj por duonkonduktaĵo kaj fotovoltaeca industrio. Our teknika teamo venas de ĉefaj hejmaj esplorinstitucioj, povas provizi pli profesiajn materialajn solvojnpor vi.
Ni senĉese disvolvas altnivelajn procezojn por provizi pli altnivelajn materialojn,kajellaboris ekskluzivan patentitan teknologion, kiu povas fari la ligon inter la tegaĵo kaj la substrato pli streĉa kaj malpli inklina al malligo.
Faĵoj de niaj produktoj:
1. Alta temperatura oksida rezisto ĝis 1700℃.
2. Alta pureco kajtermika unuformeco
3. Bonega koroda rezisto: acida, alkala, salo kaj organikaj reakciiloj.
4. Alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj eroj.
5. Pli longa serva vivo kaj pli daŭra
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Bazaj fizikaj trajtoj de CVD SiCtegaĵo | |
| 性质 / Proprieto | 典型数值 / Tipa Valoro |
| 晶体结构 / Kristala Strukturo | FCC β-fazo多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Denso | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Malmoleco | 2500 维氏硬度（500g ŝarĝo） |
| 晶粒大小 / Grain Size | 2~10μm |
| 纯度 / Kemia Pureco | 99,99995 % |
| 热容 / Varmo Kapacito | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimiga Temperaturo | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Fleksa Forto | 415 MPa RT 4-punkto |
| 杨氏模量 / Modulo de Young | 430 Gpa 4pt kurbiĝo, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalKondukto | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Termika Vastiĝo (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Varme bonvenigas vin viziti nian fabrikon, ni plu diskutos!
