Silicia Karburo Tegita Grafito Substrato por Semikonduktaĵo, MOCVD Susceptor

Mallonga Priskribo:

VET Energy SiC Coated Susceptor estas alt-efikeca produkto dizajnita por provizi konsekvencan kaj fidindan agadon dum plilongigita periodo. Ĝi havas super bonan varmegan reziston kaj termikan unuformecon, altan purecon, erozioreziston, igante ĝin la perfekta solvo por oblataj pretigaj aplikoj.

Loko de Origino:Ĝeĝjango, Ĉinio (Kontinento)

Modela Nombro:Modela Nombro:

Kemia komponado:SiC tegita grafito

Fleksa forto:470Mpa

Termika konduktivo:300 W/mK

Kvalito:Perfekte

Funkcio:CVD-SiC

Apliko:Semikonduktaĵo/Fotovoltaiko

Denso:3,21 g/cc

Termika ekspansio:4 10-6/K

Cindro: <5ppm

Specimeno:Disponebla

HS Kodo:6903100000

Sendu retpoŝton al ni Elŝutu kiel PDF

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

VET Energy SiC Coated Susceptorestas alt-efikeca solvo zorge kreita por liveri fidindan, konsekvencan agadon tra plilongigita vivdaŭro, renkontante la rigorajn postulojn de semikonduktaĵfabrikado. Havante esceptan varmegan reziston, superan termikan unuformecon kaj altan purecon, ĉi tiu produkto estas ideala por MOCVD-oblatoj kaj aliaj oblataj pretigaj aplikoj postulantaj stabilecon kaj precizecon. Ĝia fortika eroziorezisto faras ĝin bonega elekto por medioj, kie fortikeco kaj kemia rezisteco estas esencaj.

NiaSiC Tegita Grafito Susceptorstaras kiel kritika komponanto en la procezo de fabrikado de semikonduktaĵoj, utiligante la ekskluzivan patentitan teknologion de VET Energy por atingi ekstreme altan purecon, superan tegaĵon unuformecon kaj rimarkindan termikan stabilecon. La tegaĵo plibonigas la grafitan substraton kun alta kemia rezisto kaj signife plilongigita servodaŭro. La dediĉo de VET-Energio al kvalito rezultigis SiC-tegitan susceptor kiu renkontas la evoluantajn bezonojn de la grafita oblata portanta merkato, fiksante altan normon por SiC-tegita grafito-susceptor uzataj en.MOCVD-procezoj.

Ĉefaj Trajtoj de SiC Tegitaj Susceptoroj:

1. Alt-Temperatura Oksidada Rezisto:Eltenas temperaturojn ĝis 1700 ℃, igante ĝin taŭga por ekstremaj pretigaj kondiĉoj.

2. Alta Pureco kaj Termika Unuformeco:Certigas konsekvencajn rezultojn, esencajn porMOCVD-subceptantojkaj aliaj precizecaj aplikoj.

3. Bonega Koroda Rezisto:Rezigna al acido, alkalo, salo kaj diversaj organikaj reakciiloj.

4. Plibonigita Surfaca Malmoleco:Kompakta surfaco kun fajnaj partikloj, kiuj provizas pli altan fortikecon kaj longvivecon.

5. Plilongigita Servovivo:Realigita por daŭra agado, superante normajn siliciokarbid-tegitajn susceptorojn en severaj pretigaj medioj.

Kiel ĉefa fabrikanto, VET Energy specialiĝas pri personecigita grafito kajsilicio-karburaj produktojkun diversaj tegaĵoj, inkluziveSiC tegaĵo, TaC tegaĵo, vitreca karbona tegaĵo, kaj piroliza karbona tegaĵo. Ni fiere servas la semikonduktaĵajn kaj fotovoltaajn industriojn, liverante siliciajn karburajn tegitajn grafitajn susceptorojn, kiuj plenumas specifajn funkciajn postulojn.

Nia teknika teamo, kun sperto de ĉefaj hejmaj esploraj institucioj, dediĉas sin al progresado de materialaj solvoj por la evoluantaj bezonoj de laSiC-tegita grafita susceptormerkato. Per nia patentita procezo, VET Energy evoluigis unikan teknologion, kiu signife plibonigas la ligan forton inter la silicio-karbura tegaĵo kaj la substrato, reduktante la riskon de malligo kaj plibonigante longdaŭran fidindecon.

Aplikoj kaj Avantaĝoj en Semikonduktaĵa Pretigo

LaSiC-tegaĵo por MOCVDebligasgrafita susceptorkomponantoj por konservi integrecon sub alt-temperaturaj kaj korodaj medioj, kio estas esenca por preciza semikonduktaĵproduktado. Tiuj SiC-tegitaj grafitkomponentoj estas speciale aprezitaj en procezoj postulantaj silicikarbid-tegitajn susceptorojn porgrafitaj oblatoj portantoj, kiuj postulas altan termikan stabilecon, purecon kaj reziston al kemia erozio.

Kun niaj altnivelaj siliciokarburaj tegteknikoj, VET-Energio daŭre subtenas la merkaton de grafitaj oblatoj per liverado personecigita, alt-efikeca.SiC-tegitaj grafitaj susceptorojkiuj traktas industri-specifajn defiojn, de MOCVD-procezoj ĝis altpurecaj aplikoj en la semikonduktaĵkampo.