Bonaj Pograndaj Vendistoj Ĉinio Abrasive Polurado kaj Sablobla Silicio Karburo Nano Sic kun Bona Termika Kondukto

Mallonga Priskribo:


  • Loko de Origino:Ĉinio
  • Kristala Strukturo:FCCβ-fazo
  • Denso:3,21 g/cm;
  • Malmoleco:2500 Vickers;
  • Grajna Grandeco:2~10μm;
  • Kemia pureco:99,99995 %;
  • Varma Kapacito:640J·kg-1·K-1;
  • Sublimiga Temperaturo:2700℃;
  • Feleksura Forto:415 Mpa (RT 4-Punkto);
  • Modulo de Young:430 Gpa (4pt kurbiĝo, 1300℃);
  • Termika Vastiĝo (CTE):4.5 10-6K-1;
  • Termika Kondukto:300(W/MK);
  • Produkta Detalo

    Produktaj Etikedoj

    Kun nia bonega administrado, potenca teknika kapablo kaj strikta bonega tenilo proceduro, ni daŭre provizas niajn klientojn kun bonfama plej alta kvalito, raciaj vendoprezoj kaj bonegaj provizantoj. Ni celas fariĝi inter viaj plej fidindaj partneroj kaj gajni vian kontenton por Bonaj Pograndaj Vendistoj Ĉinaj Abrasive Polurado kaj Sablobligado de Silicia Karburo NanoSickun Bona Termika Kondukteco, Nia fina celo ĉiam estas rangi kiel pinta marko kaj ankaŭ gvidi kiel pioniro en nia kampo. Ni certas, ke nia produktiva sperto pri kreado de iloj ricevos la fidon de la kliento, Dezirus kunlabori kaj kunkrei eĉ pli bonan longtempe kun vi!
    Kun nia bonega administrado, potenca teknika kapablo kaj strikta bonega tenilo proceduro, ni daŭre provizas niajn klientojn kun bonfama plej alta kvalito, raciaj vendoprezoj kaj bonegaj provizantoj. Ni celas fariĝi inter viaj plej fidindaj partneroj kaj gajni vian kontenton porĈinio Silicia Karbido, Sic, Nia celo estas "provizi unuapaŝajn produktojn kaj solvojn kaj plej bonan servon por niaj klientoj, do ni certas, ke vi devos havi marĝenprofiton per kunlaboro kun ni". Se vi interesiĝas pri iu el niaj varoj aŭ ŝatus diskuti laŭmendan mendon, bonvolu kontakti nin. Ni antaŭĝojas formi sukcesajn komercajn rilatojn kun novaj klientoj tra la mondo en proksima estonteco.
    Produkta Priskribo

    Nia kompanio provizas servojn pri tegaĵo de SiC per metodo CVD sur la surfaco de grafito, ceramikaĵo kaj aliaj materialoj, tiel ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicio reagas ĉe alta temperaturo por akiri altpurajn SiC-molekulojn, molekulojn deponitajn sur la surfaco de la kovritaj materialoj, formante SIC protektan tavolon.

    Ĉefaj trajtoj:

    1. Alta temperatura oksida rezisto:

    la oksidiĝa rezisto estas ankoraŭ tre bona kiam la temperaturo estas same alta kiel 1600 C.

    2. Alta pureco: farita per kemia vapora deponado sub alta temperatura klorina kondiĉo.

    3. Erozia rezisto: alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj eroj.

    4. Koroda rezisto: acida, alkala, salo kaj organikaj reakciiloj.

    Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC Tegaĵo

    SiC-CVD Propraĵoj

    Kristala Strukturo FCC β-fazo
    Denso g/cm³ 3.21
    Malmoleco Vickers-malmoleco 2500
    Grajna Grandeco μm 2~10
    Kemia pureco % 99.99995
    Varmo Kapacito J·kg-1 ·K-1 640
    Temperaturo de sublimado 2700
    Feleksura Forto MPa (RT 4-punkto) 415
    Modulo de Young Gpa (4pt-kurbo, 1300℃) 430
    Termika Vastiĝo (CTE) 10-6K-1 4.5
    Termika kondukteco (W/mK) 300

    1 2 3 4 5


  • Antaŭa:
  • Sekva:

  • Enreta Babilejo de WhatsApp!