CVD-SiCΗ επίστρωση έχει τα χαρακτηριστικά της ομοιόμορφης δομής, του συμπαγούς υλικού, της αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία, της αντοχής στην οξείδωση, της υψηλής καθαρότητας, της αντίστασης σε οξύ και αλκάλιο και οργανικό αντιδραστήριο, με σταθερές φυσικές και χημικές ιδιότητες.

Σε σύγκριση με υλικά γραφίτη υψηλής καθαρότητας, ο γραφίτης αρχίζει να οξειδώνεται στους 400C, γεγονός που θα προκαλέσει απώλεια σκόνης λόγω οξείδωσης, με αποτέλεσμα τη μόλυνση του περιβάλλοντος σε περιφερειακές συσκευές και τους θαλάμους κενού και αυξάνοντας τις ακαθαρσίες περιβάλλοντος υψηλής καθαρότητας.

Ωστόσο, η επίστρωση SiC μπορεί να διατηρήσει τη φυσική και χημική σταθερότητα στους 1600 μοίρες, Χρησιμοποιείται ευρέως στη σύγχρονη βιομηχανία, ειδικά στη βιομηχανία ημιαγωγών.

Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες διεργασίας επίστρωσης SiC με τη μέθοδο CVD σε επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να ληφθούν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, μόρια που εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών. σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC. Το SIC που σχηματίζεται είναι σταθερά συνδεδεμένο με τη βάση γραφίτη, δίνοντας στη βάση γραφίτη ιδιαίτερες ιδιότητες, καθιστώντας έτσι την επιφάνεια του γραφίτη συμπαγή, χωρίς πορώδες, αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, αντοχή στη διάβρωση και αντοχή στην οξείδωση.

Κύρια χαρακτηριστικά:

1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία:

η αντίσταση στην οξείδωση είναι ακόμα πολύ καλή όταν η θερμοκρασία είναι τόσο υψηλή όσο 1600 C.

2. Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με χημική εναπόθεση ατμών υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.

3. Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.

4. Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, αλάτι και οργανικά αντιδραστήρια.

Βασικές προδιαγραφές των επιστρώσεων CVD-SIC: