Ηλιακά φωτοβολταϊκά προϊόντα

Καθαρότητα, Δομή SEM, ανάλυση πάχουςΕπικάλυψη SiC

Η καθαρότητα των επικαλύψεων SiC σε γραφίτη με χρήση CVD είναι τόσο υψηλή όσο 99,9995%. Η δομή του είναι fcc. Τα φιλμ SiC που είναι επικαλυμμένα σε γραφίτη είναι (111) προσανατολισμένα όπως φαίνεται στα δεδομένα XRD (Εικ. 1) υποδεικνύοντας την υψηλή κρυσταλλική του ποιότητα. Το πάχος του φιλμ SiC είναι πολύ ομοιόμορφο όπως φαίνεται στο Σχ. 2.

Εικ. 2: ομοιόμορφο πάχος φιλμ SiC SEM και XRD φιλμ βήτα-SiC σε γραφίτη

Δεδομένα SEM της λεπτής μεμβράνης CVD SiC, το μέγεθος κρυστάλλου είναι 2~1 Opm

Η κρυσταλλική δομή του φιλμ CVD SiC είναι μια κυβική δομή με επίκεντρο πρόσωπο και ο προσανατολισμός ανάπτυξης του φιλμ είναι κοντά στο 100%

Επικαλυμμένο με καρβίδιο του πυριτίου (SiC).Η βάση είναι η καλύτερη βάση για μονοκρυσταλλικό πυρίτιο και επιταξία GaN, η οποία είναι το βασικό συστατικό του κλιβάνου επιταξίας. Η βάση είναι ένα βασικό εξάρτημα παραγωγής για μονοκρυσταλλικό πυρίτιο για μεγάλα ολοκληρωμένα κυκλώματα. Έχει υψηλή καθαρότητα, αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση, καλή αεροστεγανότητα και άλλα εξαιρετικά χαρακτηριστικά υλικού.

Εφαρμογή και χρήση προϊόντος

Επικάλυψη βάσης γραφίτη για επιταξιακή ανάπτυξη μονοκρυσταλλικού πυριτίου Κατάλληλο για μηχανές Aixtron κ.λπ. Πάχος επίστρωσης: 90~150umΗ διάμετρος του κρατήρα γκοφρέτας είναι 55mm.