Hot New Products Βελτιωμένος φούρνος CVD Tube Plasma για εναπόθεση σκληρών μεμβρανών υψηλής ποιότητας

Σύντομη περιγραφή:


Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Η απόκτηση ικανοποίησης αγοραστή είναι ο σκοπός της εταιρείας μας χωρίς τέλος. Θα κάνουμε καταπληκτικές πρωτοβουλίες για να αποκτήσουμε νέες και κορυφαίας ποιότητας λύσεις, θα ανταποκριθούμε στις αποκλειστικές σας προδιαγραφές και θα σας παρέχουμε παρόχους προπώλησης, πώλησης και μετά την πώληση για Hot New Products Plasma Enhanced Tube Furnace for Deposition of High- Ποιοτικές σκληρές ταινίες, καλωσορίστε το ερώτημά σας, η καλύτερη εξυπηρέτηση θα παρέχεται με πλήρη καρδιά.
Η απόκτηση ικανοποίησης αγοραστή είναι ο σκοπός της εταιρείας μας χωρίς τέλος. Θα κάνουμε καταπληκτικές πρωτοβουλίες για την απόκτηση νέων και κορυφαίας ποιότητας λύσεις, θα ανταποκριθούμε στις αποκλειστικές προδιαγραφές σας και θα σας παρέχουμε παρόχους προπώλησης, πώλησης και μετά την πώληση γιαChina CVD Tube Furnace and CVD Tube Furnace Chemical Vapor Deposition, Στην ολοένα και πιο ανταγωνιστική αγορά, με ειλικρινή εξυπηρέτηση αγαθών υψηλής ποιότητας και άξια φήμης, παρέχουμε πάντα στους πελάτες υποστήριξη σε είδη και τεχνικές για την επίτευξη μακροχρόνιας συνεργασίας. Η ζωή με βάση την ποιότητα, η ανάπτυξη με πίστωση είναι η αιώνια επιδίωξή μας. Πιστεύουμε ακράδαντα ότι μετά την επίσκεψή σας θα γίνουμε μακροπρόθεσμοι συνεργάτες.

Περιγραφή προϊόντος

Σύνθετα άνθρακα / άνθρακα(εφεξής «C/C ή CFC”) είναι ένα είδος σύνθετου υλικού που βασίζεται στον άνθρακα και ενισχύεται από ανθρακονήματα και τα προϊόντα του (προμορφώματα ανθρακονημάτων). Έχει τόσο την αδράνεια του άνθρακα όσο και την υψηλή αντοχή των ανθρακονημάτων. Έχει καλές μηχανικές ιδιότητες, αντοχή στη θερμότητα, αντοχή στη διάβρωση, απόσβεση τριβής και χαρακτηριστικά θερμικής και ηλεκτρικής αγωγιμότητας

CVD-SiCΗ επίστρωση έχει τα χαρακτηριστικά της ομοιόμορφης δομής, του συμπαγούς υλικού, της αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία, της αντοχής στην οξείδωση, της υψηλής καθαρότητας, της αντίστασης σε οξύ και αλκάλιο και οργανικό αντιδραστήριο, με σταθερές φυσικές και χημικές ιδιότητες.

Σε σύγκριση με υλικά γραφίτη υψηλής καθαρότητας, ο γραφίτης αρχίζει να οξειδώνεται στους 400C, γεγονός που θα προκαλέσει απώλεια σκόνης λόγω οξείδωσης, με αποτέλεσμα τη ρύπανση του περιβάλλοντος σε περιφερειακές συσκευές και τους θαλάμους κενού και αύξηση των ακαθαρσιών του περιβάλλοντος υψηλής καθαρότητας.

Ωστόσο, η επίστρωση SiC μπορεί να διατηρήσει τη φυσική και χημική σταθερότητα στους 1600 μοίρες, Χρησιμοποιείται ευρέως στη σύγχρονη βιομηχανία, ειδικά στη βιομηχανία ημιαγωγών.

Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες διεργασίας επίστρωσης SiC με τη μέθοδο CVD σε επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να ληφθούν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, μόρια που εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών. σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC. Το SIC που σχηματίζεται είναι σταθερά συνδεδεμένο με τη βάση γραφίτη, δίνοντας στη βάση γραφίτη ιδιαίτερες ιδιότητες, καθιστώντας έτσι την επιφάνεια του γραφίτη συμπαγή, χωρίς πορώδες, αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, αντοχή στη διάβρωση και αντοχή στην οξείδωση.

 Επεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείς

Κύρια χαρακτηριστικά:

1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία:

η αντίσταση στην οξείδωση είναι ακόμα πολύ καλή όταν η θερμοκρασία είναι τόσο υψηλή όσο 1600 C.

2. Υψηλή καθαρότητα: γίνεται με χημική εναπόθεση ατμού υπό συνθήκες χλωρίωσης υψηλής θερμοκρασίας.

3. Αντοχή στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.

4. Αντοχή στη διάβρωση: οξέα, αλκάλια, αλάτι και οργανικά αντιδραστήρια.

 

Βασικές προδιαγραφές των επιστρώσεων CVD-SIC:

SiC-CVD

Πυκνότητα

(g/cc)

3.21

Αντοχή σε κάμψη

(Mpa)

470

Θερμική διαστολή

(10-6/K)

4

Θερμική αγωγιμότητα

(W/mK)

300

Αναλυτικές εικόνες

Επεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείςΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφάνειες γραφίτη MOCVD υποδοχείς

Πληροφορίες εταιρείας

111

Εργοστασιακός Εξοπλισμός

222

Αποθήκη

333

Πιστοποιήσεις

Πιστοποιήσεις 22

 


  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • WhatsApp Online Chat!