GaN σε γκοφρέτα πυριτίου για RF

Σύντομη περιγραφή:

Το GaN on Silicon Wafer for RF, που παρέχεται από την VET Energy, έχει σχεδιαστεί για να υποστηρίζει εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων υψηλής συχνότητας (RF). Αυτές οι γκοφρέτες συνδυάζουν τα πλεονεκτήματα του νιτριδίου του γαλλίου (GaN) και του πυριτίου (Si) για να προσφέρουν εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και υψηλή απόδοση ισχύος, καθιστώντας τα ιδανικά για εξαρτήματα ραδιοσυχνοτήτων που χρησιμοποιούνται σε τηλεπικοινωνίες, ραντάρ και δορυφορικά συστήματα. Το VET Energy διασφαλίζει ότι κάθε γκοφρέτα πληροί τα υψηλότερα πρότυπα απόδοσης που απαιτούνται για την προηγμένη κατασκευή ημιαγωγών.


Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Το VET Energy GaN on Silicon Wafer είναι μια πρωτοποριακή λύση ημιαγωγών που έχει σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων (RF). Αναπτύσσοντας επιταξιακά υψηλής ποιότητας νιτρίδιο γαλλίου (GaN) σε υπόστρωμα πυριτίου, το VET Energy προσφέρει μια οικονομικά αποδοτική και υψηλής απόδοσης πλατφόρμα για ένα ευρύ φάσμα συσκευών ραδιοσυχνοτήτων.

Αυτή η γκοφρέτα GaN on Silicon είναι συμβατή με άλλα υλικά όπως το Si Wafer, το SiC Substrate, το SOI Wafer και το SiN Substrate, επεκτείνοντας την ευελιξία του για διάφορες διαδικασίες κατασκευής. Επιπλέον, είναι βελτιστοποιημένο για χρήση με Epi Wafer και προηγμένα υλικά όπως Gallium Oxide Ga2O3 και AlN Wafer, τα οποία ενισχύουν περαιτέρω τις εφαρμογές του σε ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος. Οι γκοφρέτες έχουν σχεδιαστεί για απρόσκοπτη ενσωμάτωση σε συστήματα παραγωγής χρησιμοποιώντας τυπικό χειρισμό κασέτας για ευκολία στη χρήση και αυξημένη απόδοση παραγωγής.

Η VET Energy προσφέρει ένα ολοκληρωμένο χαρτοφυλάκιο υποστρωμάτων ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένων των Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 και AlN Wafer. Η ποικιλία προϊόντων μας καλύπτει τις ανάγκες διαφόρων ηλεκτρονικών εφαρμογών, από ηλεκτρονικά ισχύος έως ραδιοσυχνότητες και οπτοηλεκτρονικά.

Το GaN on Silicon Wafer προσφέρει πολλά πλεονεκτήματα για εφαρμογές RF:

       • Απόδοση υψηλής συχνότητας:Το μεγάλο διάκενο ζώνης και η υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων του GaN επιτρέπουν τη λειτουργία υψηλής συχνότητας, καθιστώντας το ιδανικό για 5G και άλλα συστήματα επικοινωνίας υψηλής ταχύτητας.
     • Υψηλή πυκνότητα ισχύος:Οι συσκευές GaN μπορούν να χειριστούν υψηλότερες πυκνότητες ισχύος σε σύγκριση με τις παραδοσιακές συσκευές με βάση το πυρίτιο, οδηγώντας σε πιο συμπαγή και αποδοτικά συστήματα ραδιοσυχνοτήτων.
       • Χαμηλή κατανάλωση ενέργειας:Οι συσκευές GaN παρουσιάζουν χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας, με αποτέλεσμα βελτιωμένη ενεργειακή απόδοση και μειωμένη απαγωγή θερμότητας.

Εφαρμογές:

       • Ασύρματη επικοινωνία 5G:Οι γκοφρέτες GaN on Silicon είναι απαραίτητες για την κατασκευή σταθμών βάσης 5G υψηλής απόδοσης και φορητών συσκευών.
     • Συστήματα ραντάρ:Οι ενισχυτές ραδιοσυχνοτήτων με βάση το GaN χρησιμοποιούνται σε συστήματα ραντάρ για την υψηλή απόδοση και το ευρύ εύρος ζώνης τους.
   • Δορυφορική επικοινωνία:Οι συσκευές GaN επιτρέπουν συστήματα δορυφορικής επικοινωνίας υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.
     • Στρατιωτικά ηλεκτρονικά:Τα εξαρτήματα ραδιοσυχνοτήτων που βασίζονται σε GaN χρησιμοποιούνται σε στρατιωτικές εφαρμογές όπως ηλεκτρονικός πόλεμος και συστήματα ραντάρ.

Το VET Energy προσφέρει προσαρμόσιμο GaN σε γκοφρέτες πυριτίου για να καλύψει τις συγκεκριμένες απαιτήσεις σας, συμπεριλαμβανομένων διαφορετικών επιπέδων ντόπινγκ, πάχους και μεγεθών γκοφρέτας. Η ομάδα ειδικών μας παρέχει τεχνική υποστήριξη και εξυπηρέτηση μετά την πώληση για να εξασφαλίσει την επιτυχία σας.

第6页-36
第6页-35

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΓΚΟΦΡΟΛΙΑΣ

*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό

Είδος

8-ιντσών

6-ιντσών

4-ιντσών

nP

n-Mm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 μ

≤6 μ

Bow(GF3YFCD)-Απόλυτη τιμή

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Γκοφρέτα Edge

Λοξοτομή

ΦΙΝΙΡΙΣΜΑ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΣ

*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό

Είδος

8-ιντσών

6-ιντσών

4-ιντσών

nP

n-Mm

n-Ps

SI

SI

Φινίρισμα επιφάνειας

Διπλής όψης Optical Polish, Si- Face CMP

Επιφανειακή τραχύτητα

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5nm

Τσιπς άκρων

Δεν επιτρέπεται (μήκος και πλάτος≥0,5mm)

Εσοχές

Δεν επιτρέπεται

Γρατσουνιές (Si-Face)

Ποσ.≤5,Σωρευτικό
Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας

Ποσ.≤5,Σωρευτικό
Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας

Ποσ.≤5,Σωρευτικό
Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας

Ρωγμές

Δεν επιτρέπεται

Εξαίρεση άκρων

3 χιλιοστά

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • WhatsApp Online Chat!