Η επιταξιακή γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου VET Energy (SiC) είναι ένα υψηλής απόδοσης ημιαγωγικό υλικό ευρείας ζώνης με εξαιρετική αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, χαρακτηριστικά υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος. Είναι ιδανικό υπόστρωμα για τη νέα γενιά ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος. Το VET Energy χρησιμοποιεί προηγμένη επιταξιακή τεχνολογία MOCVD για την ανάπτυξη επιταξιακών στρωμάτων SiC υψηλής ποιότητας σε υποστρώματα SiC, διασφαλίζοντας την εξαιρετική απόδοση και συνοχή της γκοφρέτας.
Η επιταξιακή γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου (SiC) προσφέρει εξαιρετική συμβατότητα με μια ποικιλία υλικών ημιαγωγών, όπως η γκοφρέτα Si, το υπόστρωμα SiC, η γκοφρέτα SOI και το υπόστρωμα SiN. Με το στιβαρό επιταξιακό στρώμα του, υποστηρίζει προηγμένες διαδικασίες, όπως η ανάπτυξη και ενσωμάτωση της Epi Wafer με υλικά όπως το Gallium Oxide Ga2O3 και το AlN Wafer, εξασφαλίζοντας ευέλικτη χρήση σε διαφορετικές τεχνολογίες. Σχεδιασμένο για να είναι συμβατό με τα βιομηχανικά πρότυπα συστήματα χειρισμού κασετών, εξασφαλίζει αποτελεσματικές και βελτιωμένες λειτουργίες σε περιβάλλοντα κατασκευής ημιαγωγών.
Η σειρά προϊόντων της VET Energy δεν περιορίζεται σε επιταξιακές γκοφρέτες SiC. Παρέχουμε επίσης ένα ευρύ φάσμα υλικών υποστρώματος ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένων των Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, κ.λπ. Γκοφρέτα, για να καλύψει τη ζήτηση της μελλοντικής βιομηχανίας ηλεκτρονικών ισχύος για συσκευές υψηλότερης απόδοσης.
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΓΚΟΦΡΟΛΙΑΣ
*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό
Είδος | 8-ιντσών | 6-ιντσών | 4-ιντσών | ||
nP | n-Mm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 μ | ≤6 μ | |||
Bow(GF3YFCD)-Απόλυτη τιμή | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Γκοφρέτα Edge | Λοξοτομή |
ΦΙΝΙΡΙΣΜΑ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΣ
*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό
Είδος | 8-ιντσών | 6-ιντσών | 4-ιντσών | ||
nP | n-Mm | n-Ps | SI | SI | |
Φινίρισμα επιφάνειας | Διπλής όψης Optical Polish, Si- Face CMP | ||||
Επιφανειακή τραχύτητα | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Τσιπς άκρων | Δεν επιτρέπεται (μήκος και πλάτος≥0,5mm) | ||||
Εσοχές | Δεν επιτρέπεται | ||||
Γρατσουνιές (Si-Face) | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | ||
Ρωγμές | Δεν επιτρέπεται | ||||
Εξαίρεση άκρων | 3 χιλιοστά |