Επιταξιακή γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου (SiC).

Σύντομη περιγραφή:

Η επιταξιακή γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου (SiC) της VET Energy είναι ένα υπόστρωμα υψηλής απόδοσης που έχει σχεδιαστεί για να ανταποκρίνεται στις απαιτητικές απαιτήσεις των συσκευών ισχύος και ραδιοσυχνοτήτων επόμενης γενιάς. Το VET Energy διασφαλίζει ότι κάθε επιταξιακή γκοφρέτα κατασκευάζεται σχολαστικά για να παρέχει ανώτερη θερμική αγωγιμότητα, τάση διάσπασης και κινητικότητα φορέα, καθιστώντας την ιδανική για εφαρμογές όπως ηλεκτρικά οχήματα, επικοινωνία 5G και ηλεκτρονικά ισχύος υψηλής απόδοσης.


Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Η επιταξιακή γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου VET Energy (SiC) είναι ένα υψηλής απόδοσης ημιαγωγικό υλικό ευρείας ζώνης με εξαιρετική αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, χαρακτηριστικά υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος. Είναι ιδανικό υπόστρωμα για τη νέα γενιά ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος. Το VET Energy χρησιμοποιεί προηγμένη επιταξιακή τεχνολογία MOCVD για την ανάπτυξη επιταξιακών στρωμάτων SiC υψηλής ποιότητας σε υποστρώματα SiC, διασφαλίζοντας την εξαιρετική απόδοση και συνοχή της γκοφρέτας.

Η επιταξιακή γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου (SiC) προσφέρει εξαιρετική συμβατότητα με μια ποικιλία υλικών ημιαγωγών, όπως η γκοφρέτα Si, το υπόστρωμα SiC, η γκοφρέτα SOI και το υπόστρωμα SiN. Με το στιβαρό επιταξιακό στρώμα του, υποστηρίζει προηγμένες διαδικασίες, όπως η ανάπτυξη και ενσωμάτωση της Epi Wafer με υλικά όπως το Gallium Oxide Ga2O3 και το AlN Wafer, εξασφαλίζοντας ευέλικτη χρήση σε διαφορετικές τεχνολογίες. Σχεδιασμένο για να είναι συμβατό με τα βιομηχανικά πρότυπα συστήματα χειρισμού κασετών, εξασφαλίζει αποτελεσματικές και βελτιωμένες λειτουργίες σε περιβάλλοντα κατασκευής ημιαγωγών.

Η σειρά προϊόντων της VET Energy δεν περιορίζεται σε επιταξιακές γκοφρέτες SiC. Παρέχουμε επίσης ένα ευρύ φάσμα υλικών υποστρώματος ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένων των Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, κ.λπ. Γκοφρέτα, για να καλύψει τη ζήτηση της μελλοντικής βιομηχανίας ηλεκτρονικών ισχύος για συσκευές υψηλότερης απόδοσης.

第6页-36
第6页-35

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΓΚΟΦΡΟΛΙΑΣ

*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό

Είδος

8-ιντσών

6-ιντσών

4-ιντσών

nP

μ.μ

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 μ

≤6 μ

Bow(GF3YFCD)-Απόλυτη τιμή

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Γκοφρέτα Edge

Λοξοτομή

ΦΙΝΙΡΙΣΜΑ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΣ

*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό

Είδος

8-ιντσών

6-ιντσών

4-ιντσών

nP

μ.μ

n-Ps

SI

SI

Φινίρισμα επιφάνειας

Διπλής όψης Optical Polish, Si- Face CMP

Επιφανειακή τραχύτητα

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5nm

Τσιπς άκρων

Δεν επιτρέπεται (μήκος και πλάτος≥0,5mm)

Εσοχές

Δεν επιτρέπεται

Γρατσουνιές (Si-Face)

Ποσ.≤5,Σωρευτικό
Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας

Ποσ.≤5,Σωρευτικό
Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας

Ποσ.≤5,Σωρευτικό
Μήκος≤0,5×διάμετρος γκοφρέτας

Ρωγμές

Δεν επιτρέπεται

Εξαίρεση άκρων

3 χιλιοστά

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • WhatsApp Online Chat!