Η γκοφρέτα GaAs 4 ιντσών από την VET Energy είναι απαραίτητο υλικό για υψηλής ταχύτητας και οπτοηλεκτρονικές συσκευές, συμπεριλαμβανομένων ενισχυτών RF, LED και ηλιακών κυψελών. Αυτά τα πλακίδια είναι γνωστά για την υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων και την ικανότητά τους να λειτουργούν σε υψηλότερες συχνότητες, καθιστώντας τα βασικό συστατικό σε προηγμένες εφαρμογές ημιαγωγών. Το VET Energy εξασφαλίζει κορυφαίας ποιότητας γκοφρέτες GaAs με ομοιόμορφο πάχος και ελάχιστα ελαττώματα, κατάλληλες για μια σειρά απαιτητικών διαδικασιών κατασκευής.
Αυτές οι γκοφρέτες GaAs 4 ιντσών είναι συμβατές με διάφορα υλικά ημιαγωγών όπως Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer και SiN Substrate, καθιστώντας τα ευέλικτα για ενσωμάτωση σε διαφορετικές αρχιτεκτονικές συσκευών. Είτε χρησιμοποιούνται για την παραγωγή Epi Wafer είτε μαζί με υλικά αιχμής όπως το Gallium Oxide Ga2O3 και το AlN Wafer, προσφέρουν μια αξιόπιστη βάση για ηλεκτρονικά νέας γενιάς. Επιπλέον, οι γκοφρέτες είναι πλήρως συμβατές με συστήματα χειρισμού που βασίζονται σε κασέτες, διασφαλίζοντας ομαλή λειτουργία τόσο σε περιβάλλον έρευνας όσο και σε περιβάλλοντα παραγωγής μεγάλου όγκου.
Η VET Energy προσφέρει ένα ολοκληρωμένο χαρτοφυλάκιο υποστρωμάτων ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένων των Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 και AlN Wafer. Η ποικιλία προϊόντων μας καλύπτει τις ανάγκες διαφόρων ηλεκτρονικών εφαρμογών, από ηλεκτρονικά ισχύος έως ραδιοσυχνότητες και οπτοηλεκτρονικά.
Το VET Energy προσφέρει προσαρμόσιμες γκοφρέτες GaAs για να καλύψει τις συγκεκριμένες απαιτήσεις σας, συμπεριλαμβανομένων διαφορετικών επιπέδων ντόπινγκ, προσανατολισμών και φινιρίσματος επιφανειών. Η ομάδα ειδικών μας παρέχει τεχνική υποστήριξη και εξυπηρέτηση μετά την πώληση για να εξασφαλίσει την επιτυχία σας.
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΓΚΟΦΡΟΛΙΑΣ
*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό
Είδος | 8-ιντσών | 6-ιντσών | 4-ιντσών | ||
nP | μ.μ | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 μ | ≤6 μ | |||
Bow(GF3YFCD)-Απόλυτη τιμή | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Γκοφρέτα Edge | Λοξοτομή |
ΦΙΝΙΡΙΣΜΑ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΣ
*n-Pm=n-τύπου Pm-Grade,n-Ps=n-τύπου Ps-Grade,Sl=Ημιμονωτικό
Είδος | 8-ιντσών | 6-ιντσών | 4-ιντσών | ||
nP | μ.μ | n-Ps | SI | SI | |
Φινίρισμα επιφάνειας | Διπλής όψης Optical Polish, Si- Face CMP | ||||
Επιφανειακή τραχύτητα | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Τσιπς άκρων | Δεν επιτρέπεται (μήκος και πλάτος≥0,5mm) | ||||
Εσοχές | Δεν επιτρέπεται | ||||
Γρατσουνιές (Si-Face) | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | Ποσ.≤5,Σωρευτικό | ||
Ρωγμές | Δεν επιτρέπεται | ||||
Εξαίρεση άκρων | 3 χιλιοστά |