Siliziumwafer

Siliziumwafer

von sitronic

AWaferist eine etwa 1 Millimeter dicke Siliziumscheibe, die dank technisch sehr anspruchsvoller Verfahren eine extrem ebene Oberfläche aufweist. Die spätere Verwendung bestimmt, welches Kristallzüchtungsverfahren angewendet werden sollte. Beim Czochralski-Verfahren wird beispielsweise das polykristalline Silizium geschmolzen und ein bleistiftdünner Impfkristall in das geschmolzene Silizium getaucht. Anschließend wird der Impfkristall gedreht und langsam nach oben gezogen. Es entsteht ein sehr schwerer Koloss, ein Einkristall. Es ist möglich, die elektrischen Eigenschaften des Einkristalls durch Zugabe kleiner Einheiten hochreiner Dotierstoffe auszuwählen. Die Kristalle werden nach Kundenvorgabe dotiert, anschließend poliert und in Scheiben geschnitten. Nach verschiedenen weiteren Produktionsschritten erhält der Kunde seine spezifizierten Wafer in einer speziellen Verpackung, die ihm die Nutzung ermöglichtWafersofort in seiner Produktionslinie.

Heutzutage wird ein großer Teil der Siliziumeinkristalle nach dem Czochralski-Verfahren gezüchtet, bei dem polykristallines hochreines Silizium in einem hochreinen Quarztiegel geschmolzen und mit Dotierstoffen (normalerweise B, P, As, Sb) versetzt wird. Ein dünner, einkristalliner Impfkristall wird in das geschmolzene Silizium getaucht. Aus diesem dünnen Kristall entwickelt sich dann ein großer CZ-Kristall. Die präzise Regulierung der Temperatur und des Flusses des geschmolzenen Siliziums, der Kristall- und Tiegelrotation sowie der Kristallziehgeschwindigkeit führt zu einem monokristallinen Siliziumblock von extrem hoher Qualität.