Siliziumkarbid (SiC) ist eine Art Keramikmaterial mit breitem Anwendungspotenzial, das sich durch hervorragende Wärmeleitfähigkeit, chemische Stabilität und hohe Temperaturbeständigkeit auszeichnet.Um die Leistung und den Anwendungsbereich von Siliziumkarbid weiter zu verbessern, ist die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) zu einer wichtigen Methode zur Herstellung von Siliziumkarbidbeschichtungen geworden.
Die Siliziumkarbid-CVD-Beschichtung kann auf verschiedenen Substraten eine gleichmäßige und dichte Schutzschicht bilden und weist eine Vielzahl überlegener Eigenschaften auf.Erstens weist die Siliziumkarbidbeschichtung eine extrem hohe Härte und Verschleißfestigkeit auf, die Verschleiß und Kratzern wirksam widerstehen und das Substrat vor Verschleiß und Korrosion schützen kann.Zweitens weist die Siliziumkarbidbeschichtung eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit auf und kann auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen weiterhin eine hohe mechanische Festigkeit und chemische Stabilität aufrechterhalten.Dadurch wird die Siliziumkarbid-CVD-Beschichtung häufig in der Luft- und Raumfahrt, im Energiesektor, in der Chemie und anderen Bereichen eingesetzt, beispielsweise für die Innenwandbeschichtung von Brennkammern, für Hochtemperatur-Gassensoren und für Hochtemperatur-Elektronikgeräte.
Darüber hinaus verfügt die Siliziumkarbid-Beschichtung über hervorragende Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolationseigenschaften.Unter Wärmeleitfähigkeit versteht man die Fähigkeit eines Materials, Wärme zu leiten, und die hohe Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid-CVD-Beschichtungen macht sie ideal für Wärmemanagementanwendungen, beispielsweise für Heizkörper und Wärmerohre.Elektrische Isolierung bezieht sich auf die Isolationsleistung des Materials gegenüber dem Strom, und die gute elektrische Isolierung der Siliziumkarbidbeschichtung macht sie weit verbreitet in elektronischen Geräten, wie z. B. Hochspannungsisolationsschichten und elektronischen Verpackungen.
Bei der Herstellung von CVD-Beschichtungen aus Siliziumkarbid gehören zu den üblichen Vorläufergasen Siliziumquellen und Kohlenstoffquellen wie Methan und Silan.Diese Gase bilden durch die CVD-Reaktion eine dünne Schicht aus Siliziumkarbid auf der Oberfläche des Substrats.Durch die Anpassung der Reaktionsbedingungen wie Temperatur, Luftdruck und Gasfluss können Dicke, Morphologie und Eigenschaften der Beschichtung gesteuert werden.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die Siliziumkarbid-CVD-Beschichtung eine Reihe hervorragender Eigenschaften aufweist, darunter hohe Härte, Verschleißfestigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung.Aufgrund dieser Eigenschaften haben Siliziumkarbidbeschichtungen ein breites Anwendungsspektrum in vielen Bereichen, darunter Luft- und Raumfahrt, Energie, Chemie und Elektronik.Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung und Verbesserung der CVD-Technologie wird die Leistung der Siliziumkarbidbeschichtung weiter verbessert und bietet mehr Möglichkeiten für mehr Anwendungen in mehr Bereichen.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 18. Dezember 2023