Halbleitergraphit

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Die Anforderungen der Halbleiterindustrie an Graphitmaterialien sind besonders hoch. Die feine Partikelgröße von Graphit weist eine hohe Präzision, hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Festigkeit, geringe Verluste und andere Vorteile auf, wie z. B. die Form gesinterter Graphitprodukte.Da die in der Halbleiterindustrie verwendeten Graphitgeräte (einschließlich Heizgeräte und deren Sinterformen) wiederholten Erwärmungs- und Abkühlungsprozessen standhalten müssen, ist es zur Verlängerung der Lebensdauer von Graphitgeräten normalerweise erforderlich, dass die verwendeten Graphitmaterialien eine stabile Leistung aufweisen und hitzebeständige Schlagfunktion.

01 Graphitzubehör für das Wachstum von Halbleiterkristallen

Alle Prozesse zur Züchtung von Halbleiterkristallen finden unter hohen Temperaturen und in einer korrosiven Umgebung statt. Die heiße Zone des Kristallwachstumsofens ist normalerweise mit hitzebeständigen und korrosionsbeständigen hochreinen Graphitkomponenten wie Heizung, Tiegel, Isolierzylinder, Führungszylinder, Elektrode, Tiegelhalter, Elektrodenmutter usw. ausgestattet.

Wir können alle Graphitteile von Kristallproduktionsgeräten herstellen, die einzeln oder in Sets geliefert werden können, oder kundenspezifische Graphitteile in verschiedenen Größen nach Kundenwunsch. Die Größe der Produkte kann vor Ort gemessen werden und der Aschegehalt der fertigen Produkte kann geringer seinals 5 ppm.

 

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02 Graphitzubehör für die Halbleiterepitaxie

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Unter Epitaxie versteht man das Wachstum einer Schicht aus Einkristallmaterial mit der gleichen Gitteranordnung wie das Substrat auf dem Einkristallsubstrat. Beim Epitaxieverfahren wird der Wafer auf die Graphitscheibe geladen. Die Leistung und Qualität der Graphitscheibe spielen eine entscheidende Rolle für die Qualität der Epitaxieschicht des Wafers. Im Bereich der Epitaxieproduktion werden viele ultrahochreine Graphite und hochreine Graphitbasis mit SIC-Beschichtung benötigt.

Die Graphitbasis unseres Unternehmens für die Halbleiterepitaxie hat ein breites Anwendungsspektrum, kann mit den meisten in der Branche häufig verwendeten Geräten mithalten und weist eine hohe Reinheit, eine gleichmäßige Beschichtung, eine hervorragende Lebensdauer sowie eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität auf.

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03 Graphitzubehör für die Ionenimplantation

Unter Ionenimplantation versteht man den Prozess, bei dem der Plasmastrahl aus Bor, Phosphor und Arsen auf eine bestimmte Energie beschleunigt und dann in die Oberflächenschicht des Wafermaterials injiziert wird, um die Materialeigenschaften der Oberflächenschicht zu verändern. Die Komponenten des Ionenimplantationsgeräts müssen aus hochreinen Materialien mit ausgezeichneter Hitzebeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit, geringer Korrosion durch Ionenstrahlen und geringem Verunreinigungsgehalt bestehen. Hochreiner Graphit erfüllt die Anwendungsanforderungen und kann für das Flugrohr, verschiedene Schlitze, Elektroden, Elektrodenabdeckungen, Leitungen, Strahlabschlüsse usw. von Ionenimplantationsgeräten verwendet werden.

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Wir können nicht nur Graphit-Abschirmabdeckungen für verschiedene Ionenimplantationsmaschinen liefern, sondern auch hochreine Graphitelektroden und Ionenquellen mit hoher Korrosionsbeständigkeit in verschiedenen Spezifikationen. Anwendbare Modelle: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM und andere Geräte. Darüber hinaus können wir auch passende Keramik-, Wolfram-, Molybdän- und Aluminiumprodukte sowie beschichtete Teile anbieten.

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04 Graphit-Isoliermaterialien und andere

Zu den in Halbleiterproduktionsanlagen verwendeten Wärmedämmmaterialien gehören Graphit-Hartfilz, Weichfilz, Graphitfolie, Graphitpapier und Graphitseil.

Alle unsere Rohstoffe sind importierter Graphit, der je nach Kundenwunsch auf die spezifische Größe zugeschnitten oder als Ganzes verkauft werden kann.

Die Kohlenstoff-Kohlenstoff-Schale wird als Träger für die Filmbeschichtung im Produktionsprozess von solaren monokristallinen Silizium- und polykristallinen Siliziumzellen verwendet. Das Funktionsprinzip ist: Legen Sie den Siliziumchip in die CFC-Schale ein und schicken Sie ihn in das Ofenrohr, um die Filmbeschichtung zu verarbeiten.

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