SiC belægning grafit MOCVD Wafer bærere, grafit susceptorer til SiC epitaksi,
Kulstof leverer susceptorer, epitaksi susceptorer, Grafit leverer susceptorer, Grafit wafer Susceptorer,

CVD-SiC-belægning har karakteristika af ensartet struktur, kompakt materiale, høj temperaturbestandighed, oxidationsmodstand, høj renhed, syre- og alkaliresistens og organisk reagens med stabile fysiske og kemiske egenskaber.

Sammenlignet med grafitmaterialer med høj renhed begynder grafit at oxidere ved 400°C, hvilket vil forårsage tab af pulver på grund af oxidation, hvilket resulterer i miljøforurening til perifere enheder og vakuumkamre og øger urenhederne i miljøet med høj renhed.

SiC-belægning kan dog opretholde fysisk og kemisk stabilitet ved 1600 grader. Det er meget udbredt i moderne industri, især i halvlederindustrien.

Vores virksomhed leverer SiC-belægningsprocestjenester ved CVD-metode på overfladen af ​​grafit, keramik og andre materialer, således at specielle gasser, der indeholder kulstof og silicium, reagerer ved høj temperatur for at opnå høj renhed SiC-molekyler, molekyler aflejret på overfladen af ​​de belagte materialer, danner SIC-beskyttelseslag. Den dannede SIC er fast bundet til grafitbasen, hvilket giver grafitbasen specielle egenskaber, hvilket gør grafittens overflade kompakt, porøsitetsfri, højtemperaturbestandighed, korrosionsbestandighed og oxidationsbestandighed.

Hovedtræk:

1. Høj temperatur oxidationsmodstand:

oxidationsmodstanden er stadig meget god, når temperaturen er så høj som 1700 C.

2. Høj renhed: Fremstillet ved kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsbetingelser.

3. Erosionsbestandighed: høj hårdhed, kompakt overflade, fine partikler.

4. Korrosionsbestandighed: syre, alkali, salt og organiske reagenser.

Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægninger:

Forsyningsevne:

10000 styk/stykker om måneden
Emballage og levering:
Emballage: Standard og stærk emballage
Polypose + æske + karton + palle
Havn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Leveringstid: