Zprávy

Charakteristika grafitové formy z karbidu křemíku
od admina dne 24-07-18
Grafitová forma z karbidu křemíku Grafitová forma z karbidu křemíku je kompozitní forma s karbidem křemíku (SiC) jako základem a grafitem jako výztužným materiálem. Tato forma má vynikající tepelnou vodivost, odolnost proti vysokým teplotám, odolnost proti korozi a opotřebení...
Přečtěte si více
Polovodičový proces plný proces fotolitografie
od admina dne 24-07-16
Výroba každého polovodičového produktu vyžaduje stovky procesů. Celý výrobní proces rozdělujeme do osmi kroků: zpracování plátků-oxidace-fotolitografie-leptání-depozice tenkého filmu-epitaxiální růst-difúze-iontová implantace. Abych vám pomohl...
Přečtěte si více
4 miliardy! SK Hynix oznamuje investici do moderních polovodičových obalů v Purdue Research Park
od admina dne 24-07-09
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. oznámil plány investovat téměř 4 miliardy dolarů do vybudování pokročilého zařízení na výrobu obalů a výzkumného a vývojového zařízení pro produkty umělé inteligence v Purdue Research Park. Vytvoření klíčového článku v americkém dodavatelském řetězci polovodičů ve West Lafayett...
Přečtěte si více
Laserová technologie vede transformaci technologie zpracování substrátu z karbidu křemíku
od admina dne 24-07-08
1. Přehled technologie zpracování substrátu z karbidu křemíku Současné kroky zpracování substrátu z karbidu křemíku zahrnují: broušení vnějšího kruhu, krájení, srážení hran, broušení, leštění, čištění atd. Krájení je důležitým krokem v procesu polovodičového substrátu...
Přečtěte si více
Materiály hlavního proudu tepelného pole: C/C kompozitní materiály
od admina dne 24-07-01
Kompozity uhlík-uhlík jsou typem kompozitů z uhlíkových vláken s uhlíkovými vlákny jako výztužným materiálem a naneseným uhlíkem jako matricovým materiálem. Matrice C/C kompozitů je uhlíková. Protože je téměř výhradně složen z elementárního uhlíku, má vynikající odolnost vůči vysokým teplotám...
Přečtěte si více
Tři hlavní techniky pro růst krystalů SiC
od admina dne 24-07-01
Jak je znázorněno na obr. 3, existují tři dominantní techniky, jejichž cílem je poskytnout monokrystal SiC s vysokou kvalitou a účinností: epitaxe v kapalné fázi (LPE), fyzikální transport par (PVT) a vysokoteplotní chemická depozice z par (HTCVD). PVT je dobře zavedený proces výroby SiC sin...
Přečtěte si více
Polovodič GaN třetí generace a související epitaxní technologie stručný úvod
od admina dne 24-06-28
1. Polovodiče třetí generace Polovodičová technologie první generace byla vyvinuta na základě polovodičových materiálů jako Si a Ge. Je materiálovým základem pro vývoj tranzistorů a technologie integrovaných obvodů. Polovodičové materiály první generace položily f...
Přečtěte si více
23,5 miliardy, Suzhouův super jednorožec jde na IPO
od admina dne 24-06-28
Po 9 letech podnikání získala společnost Innoscience celkové financování více než 6 miliard juanů a její ocenění dosáhlo úžasných 23,5 miliard juanů. Seznam investorů je dlouhý jako desítky společností: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...
Přečtěte si více
Jak produkty potažené karbidem tantalu zvyšují odolnost materiálů proti korozi?
od admina dne 24-06-25
Povlak karbidu tantalu je běžně používaná technologie povrchové úpravy, která může výrazně zlepšit odolnost materiálů proti korozi. Povlak z karbidu tantalu může být připevněn k povrchu substrátu pomocí různých metod přípravy, jako je chemické nanášení par, fyzikální...
Přečtěte si více