CVD-SiCU revestimentu hà e caratteristiche di struttura uniforme, materiale compactu, resistenza à alta temperatura, resistenza à l'ossidazione, alta purità, resistenza à l'acidu è alcali è reagenti organici, cù proprietà fisiche è chimiche stabili.

In cunfrontu cù i materiali di grafite d'alta purezza, u grafitu cumencia à oxidize à 400C, chì pruvucarà una perdita di polvere per l'ossidazione, risultatu in a contaminazione ambientale à i dispositi periferichi è e camere di vacuum, è aumentanu impurità di l'ambiente di alta purezza.

Tuttavia, u revestimentu SiC pò mantene a stabilità fisica è chimica à 1600 gradi, hè largamente utilizatu in l'industria muderna, in particulare in l'industria di i semiconduttori.

A nostra cumpagnia furnisce servizii di prucessu di rivestimentu SiC per u metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, perchè i gasi speciali chì cuntenenu carbonu è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molécule di SiC di alta purezza, molécule depositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendu strata prutittivu SIC. U SIC furmatu hè fermamente ligatu à a basa di grafite, dendu a basa di grafite proprietà spiciali, facendu cusì a superficia di u grafite compactu, senza porosità, resistenza à alta temperatura, resistenza à a corrosione è resistenza à l'ossidazione.

Caratteristiche principali:

1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:

a resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura hè alta cum'è 1600 C.

2. Purità alta: fatta da a deposizione di vapore chimicu sottu a cundizione di chlorination à alta temperatura.

3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compacta, particelle fini.

4. Resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.

Specificazioni principali di i rivestimenti CVD-SIC: