Epitassi GaN à base di siliciu

Descrizione breve:


  • Locu d'origine:Cina
  • Struttura cristallina:FCCβphase
  • Densità:3,21 g/cm
  • Durezza:2500 Vickers
  • Grandezza di granu:2 ~ 10 μm
  • Purezza chimica:99,99995%
  • Capacità di calore:640J·kg-1·K-1
  • Temperatura di sublimazione:2700 ℃
  • Forza Flessurale:415 Mpa (RT à 4 punti)
  • Modulu di Young:430 Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃)
  • Dilatazione termica (CTE):4,5 10-6K-1
  • Conduttività termica:300 (W/mK)
  • Detail di u produttu

    Tags di u produttu

    Descrizzione di u produttu

    A nostra cumpagnia furnisce servizii di prucessu di rivestimentu SiC per u metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, perchè i gasi speciali chì cuntenenu carbonu è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molécule di SiC di alta purezza, molécule depositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendu strata prutittivu SIC.

    Caratteristiche principali:

    1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:

    a resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura hè alta cum'è 1600 C.

    2. Purità alta: fatta da a deposizione di vapore chimicu sottu a cundizione di chlorination à alta temperatura.

    3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compacta, particelle fini.

    4. Resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.

    Specificazioni principali di CVD-SIC Coating

    Proprietà SiC-CVD

    Struttura cristallina FCC phase β
    Densità g/cm³ 3.21
    Durezza Durezza Vickers 2500
    Grandezza di granu μm 2 ~ 10
    Purità chimica % 99,99995
    Capacità di calore J·kg-1 ·K-1 640
    Temperature di sublimazione 2700
    Forza Flessurale MPa (RT à 4 points) 415
    Modulu di u ghjovanu Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃) 430
    Dilatazione termica (CTE) 10-6K-1 4.5
    Conduttività termica (W/mK) 300

     

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