SiC Wafer Barca / Torre

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PruduttuDiscrizzione

Carbide di silicio Wafer Boat sò largamente usati cum'è un supportu di wafer in u prucessu di diffusione à alta temperatura.

Vantaggi:

Resistenza à alta temperatura:usu normale à 1800 ℃

Alta conduttività termica:equivalenti à u materiale di grafite

Alta durezza:durezza seconda solu à u diamante, nitruru di boru

Resistenza à a corrosione:l'acidu forte è l'alcali ùn anu micca corrosione, a resistenza à a corrosione hè megliu cà u carburu di tungstenu è l'alumina.

Pesu ligeru:bassa densità, vicinu à l'aluminiu

Nisuna deformazione: bassu coefficient di espansione termica

Resistenza di scossa termale:pò resiste à forti cambiamenti di temperatura, resiste à u scossa termica, è hà un rendimentu stabile

Proprietà fisiche di SiC

Pruprietà	Valore	Metudu
Densità	3,21 g/cc	Sink-float è dimensione
Calore specificu	0,66 J/g °K	Flash laser pulsatu
Forza Flexural	450 MPa 560 MPa	Curvatura à 4 punti, curvatura à 4 punti RT, 1300 °
Tenacità di frattura	2,94 MPa m1/2	Microindentazione
Durezza	2800	Vicker's, carica di 500 g
Modulu elasticu Modulu di Young	450 GPa 430 GPa	Curva 4 pt, curva RT4 pt, 1300 ° C
Grandezza di granu	2-10 µm	SEM

Proprietà termiche di SiC

Conduttività termale	250 W/m °K	Metudu di flash laser, RT
Dilatazione termica (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Temperature de l'ambiance à 950 °C, dilatomètre de silice