SiC rivestimentu grafite MOCVD Wafer carriers， Susceptors di grafite perEpitassi SiC,
U carbone furnisce i suscettori, Suscettori di epitassi di grafite, Sustrati di supportu di grafite, Susceptor MOCVD, Epitassi SiC, Susceptori di Wafer,

Vantaggi speciali di i nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC includenu una purezza estremamente alta, un revestimentu omogeneu è una vita utile eccellente. Hanu ancu una alta resistenza chimica è proprietà di stabilità termale.

U revestimentu SiC di sustrato di Grafite per l'applicazioni Semiconductor produce una parte cun purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidanti.
CVD SiC o CVI SiC hè appiicatu à Grafite di parti di design simplici o cumplessi. U rivestimentu pò esse applicatu in varii grossi è à parti assai grandi.

Features:
· Eccellente Resistenza à u Shock Thermal
· Eccellente resistenza fisica à u scossa
· Eccellente resistenza chimica
· Super High Purity
· Disponibilità in forma cumplessa
· Usable sottu à l'atmosfera ossidante

Applicazione:

Proprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:

U carbone furnisce i suscettoriè cumpunenti di grafite per tutti i reattori epitassi attuali. A nostra cartera include suscettori di barile per unità applicate è LPE, suscettori pancake per unità LPE, CSD è Gemini, è suscettori unicu wafer per unità applicate è ASM. Cumminendu partenariati forti cù OEM di punta, sapè fà di materiali è sapè fà, SGL. offre u disignu ottimali per a vostra applicazione.