Carrier / Susceptor di grafite rivestitu di SiC

Descrizione breve:

VET Energy SiC Coated Graphite Carrier/Susceptor hè un pruduttu d'altu rendiment cuncepitu per furnisce un rendimentu consistente è affidabile per un periudu allargatu. Hè super bona resistenza à u calore è uniformità termale, alta purezza, resistenza à l'erosione, facendu a suluzione perfetta per l'applicazioni di trasfurmazioni di wafer.

 


Detail di u produttu

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SiC coated suscetpor hè un cumpunente chjave utilizatu in diversi prucessi di fabricazione di semiconductor. Utilizemu a nostra tecnulugia patentata per fà u suscetpor ricopertu di SiC cù una purezza estremamente alta, una bona uniformità di u revestimentu è una vita di serviziu eccellente, è dinò una alta resistenza chimica è proprietà di stabilità termica.

Caratteristiche di i nostri prudutti:

1. Resistenza à l'ossidazione alta temperatura finu à 1700 ℃.
2. Purità alta è uniformità termale
3. Eccellente resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.
4. Alta durezza, superficia compacta, particelle fini.
5. A vita di serviziu più longa è più durable

traspurtadore 2 traspurtadore 4

traspurtadore 1 traspurtadore 3

 

CVD SiC薄膜基本物理性能

Proprietà fisiche basiche di CVD SiCrivestimentu

性质 / Pruprietà

典型数值 / Valore tipicu

晶体结构 / Struttura di Cristalli

FCC phase β多晶,主要为(111)取向

密度 / Densità

3,21 g/cm³

硬度 / Durezza

2500 维氏硬度(500g di carica)

晶粒大小 / Grain Size

2 ~ 10 μm

纯度 / Purezza chimica

99,99995%

热容 / Capacità di calore

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Temperature di sublimazione

2700 ℃

抗弯强度 / Forza Flexural

415 MPa RT à 4 punti

杨氏模量 / Modulu di Ghjuventù

430 Gpa 4pt curva, 1300 ℃

导热系数 / ThermalConductivity

300 W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)

4,5 × 10-6K-1

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Un cordiale benvenutu per visità a nostra fabbrica, avemu più discussione!

研发团队

 

生产设备

 

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