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Semicondutturi di terza generazione GaN è breve introduzione di a tecnulugia epitassiale
1. Semicondutturi di terza generazione A tecnulugia di semiconductor di prima generazione hè stata sviluppata basatu annantu à materiali semiconduttori cum'è Si è Ge. Hè a basa materiale per u sviluppu di transistors è tecnulugia di circuiti integrati. I materiali semiconduttori di prima generazione hà postu u ...Leghjite più -
23,5 miliardi, u super unicornu di Suzhou va à IPO
Dopu à 9 anni di entrepreneurship, Innoscience hà risuscitatu più di 6 miliardi di yuan in u finanziamentu tutale, è a so valutazione hà righjuntu una stupenda 23,5 miliardi di yuan. A lista di l'investituri hè longu quant'è decine di cumpagnie: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Leghjite più -
Cumu i prudutti di carburu di tantalu aumentanu a resistenza à a corrosione di i materiali?
U revestimentu di carburu di tantalu hè una tecnulugia di trattamentu di superficia cumunimenti usata chì pò migliurà significativamente a resistenza di corrosione di i materiali. U revestimentu di carburu di tantalu pò esse attaccatu à a superficia di u sustrato per mezu di diversi metudi di preparazione, cum'è a deposizione chimica di vapore, fisicu ...Leghjite più -
Introduzione à a terza generazione di semiconductor GaN è a tecnulugia epitassiale ligata
1. Semicondutturi di terza generazione A tecnulugia di semiconductor di prima generazione hè stata sviluppata basatu annantu à materiali semiconduttori cum'è Si è Ge. Hè a basa materiale per u sviluppu di transistors è tecnulugia di circuiti integrati. I materiali semiconductori di prima generazione anu stabilitu u ...Leghjite più -
Studiu di simulazione numerica nantu à l'effettu di u grafite poroso nantu à a crescita di cristalli di carburu di siliciu
U prucessu di basa di a crescita di cristalli SiC hè divisu in a sublimazione è a descomposizione di materie prime à alta temperatura, u trasportu di sustanzi in fase di gasu sottu à l'azzione di u gradiente di temperatura, è a crescita di recristalizazione di sustanzi in fase di gas à u cristallu di sumente. Basatu nantu à questu, u ...Leghjite più -
Tipi di grafite speciale
U grafite speciale hè un materiale di grafite d'alta purezza, alta densità è alta resistenza è hà una eccellente resistenza à a corrosione, stabilità à alta temperatura è una grande conduttività elettrica. Hè fattu di grafite naturali o artificiale dopu un trattamentu termale à alta temperatura è un prucessu d'alta pressione ...Leghjite più -
Analisi di l'equipaggiu di deposizione di film sottile - i principii è l'applicazioni di l'equipaggiu PECVD/LPCVD/ALD
A deposizione di film sottile hè di rivesti una strata di film nantu à u materiale di sustrato principale di u semiconductor. Stu filmu pò esse fattu di diversi materiali, cum'è diossidu di siliciu compostu insulating, polysilicon semiconductor, cobre di metallu, etc. L'equipaggiu utilizatu per u revestimentu hè chjamatu depositu di film sottile ...Leghjite più -
Materiali impurtanti chì determinanu a qualità di a crescita di silicium monocristalina - campu termale
U prucessu di crescita di silicium monocristalinu hè cumpletamente realizatu in u campu termale. Un bonu campu termale conduce à migliurà a qualità di i cristalli è hà una efficienza di cristallizazione più altu. U disignu di u campu termale determina largamente i cambiamenti in i gradienti di temperatura ...Leghjite più -
Chì sò e difficultà tecniche di u furnace di crescita di cristalli di carburu di siliciu?
U furnace di crescita di cristalli hè l'equipaggiu core per a crescita di cristalli di carburu di siliciu. Hè simile à u fornu di crescita di cristalli di qualità di silicium cristalline tradiziunale. A struttura di u furnace ùn hè micca assai complicata. Hè cumpostu principalmente di corpu di furnace, sistema di riscaldamentu, mecanismu di trasmissione di bobina ...Leghjite più
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