Chì ghjè a diffarenza trà PECVD è LPCVD in l'equipaggiu CVD semiconductor?

depositu di vapore chimicu (CVD) si riferisce à u prucessu di dipositu un film solidu nantu à a superficia di un siliciumostiaattraversu una reazzione chimica di una mistura di gas. Sicondu e diverse cundizioni di reazione (pressione, precursore), pò esse divisu in parechji mudelli di equipaghji.

Chì prucessi sò sti dui dispusitivi usati?

PECVDL'equipaggiu (Plasma Enhanced) hè u più numarosi è più cumunimenti utilizatu, utilizatu in OX, Nitrure, porta di metallo, carbone amorfu, etc.; LPCVD (Low Power) hè di solitu usatu in Nitrure, poly, TEOS.
Chì ghjè u principiu?
PECVD-un prucessu chì combina perfettamente energia di plasma è CVD. A tecnulugia PECVD usa plasma à bassa temperatura per induce una scarica di luminescenza à u catodu di a camera di prucessu (vale à dì, vassoio di mostra) sottu pressione bassa. Questa scarica incandescente o un altru dispositivu di riscaldamentu pò elevà a temperatura di a mostra à un livellu predeterminatu, è poi intruduce una quantità cuntrullata di gas di prucessu. Stu gasu sottumette una seria di reazzioni chimichi è di plasma, è infine forma una film solidu nantu à a superficia di a mostra.

LPCVD - Depositu di vapore chimicu à bassa pressione (LPCVD) hè pensatu per riduce a pressione operativa di u gasu di reazione in u reactore à circa 133Pa o menu.

Chì sò e caratteristiche di ognunu?

PECVD - Un prucessu chì combina perfettamente l'energia di plasma è u CVD: 1) Funzionamentu à bassa temperatura (evitendu danni à l'alta temperatura à l'equipaggiu); 2) crescita rapida di film; 3) Not picky about materials, OX, Nitrure, porta di metallu, carbone amorfu pò tutti cresce; 4) Ci hè un sistema di surviglianza in situ, chì pò aghjustà a ricetta attraversu i paràmetri di ioni, u flussu di gas, a temperatura è u spessore di film.
LPCVD - I filmi sottili dipositati da LPCVD averà una migliore copertura di u passu, una bona cumpusizioni è un cuntrollu di struttura, un altu tassu di deposizione è output. Inoltre, LPCVD ùn hà micca bisognu di gas di trasportu, cusì riduce assai a fonte di contaminazione di particelle è hè largamente utilizatu in l'industrii di semiconduttori à altu valore aghjuntu per a deposizione di film sottile.

 

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