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Caratteristiche di u muffa di grafite di carburu di silicium
Muffa di grafite di carburu di siliciu U muffa di grafite di carburu di siliciu hè un muffa compostu cù carburu di siliciu (SiC) cum'è basa è grafite cum'è materiale di rinforzu. Stu muffa hà una conducibilità termale eccellente, resistenza à alta temperatura, resistenza à a corrosione è à l'usura ...Leghjite più -
Prucessu semiconductor full process of photolithography
A fabricazione di ogni pruduttu semiconductor richiede centinaie di prucessi. Dividemu tuttu u prucessu di fabricazione in ottu tappe: trasfurmazione di wafer-ossidazione-fotolitografia-incisione-deposizione di film sottile-crescita epitassiale-diffusione-impiantazione di ioni. Per aiutà vi...Leghjite più -
4 miliardi! SK Hynix annuncia l'investimentu di imballaggi avanzati in semiconduttori in Purdue Research Park
West Lafayette, Indiana - SK hynix Inc. hà annunziatu i piani di investisce quasi $ 4 miliardi per custruisce un stabilimentu avanzatu di fabricazione di imballaggi è R&D per i prudutti di intelligenza artificiale in Purdue Research Park. Stabbilimentu di un ligame chjave in a catena di furnimentu di i semiconduttori di i Stati Uniti in West Lafayett ...Leghjite più -
A tecnulugia laser guida a trasfurmazioni di a tecnulugia di trasfurmazioni di sustrati di carburu di siliciu
1. Panoramica di a tecnulugia di trasfurmazioni di sustrato di carburu di silicuu I passi attuali di trasfurmazioni di sustrato di carburu di siliciu includenu: macinazione di u cerculu esterno, slicing, chamfering, grinding, polishing, cleaning, etc. Slicing hè un passu impurtante in u prucessu di sustrato di semiconductor ...Leghjite più -
Materiali di campu termale mainstream: materiali cumposti C / C
I composti di carbonu-carbonu sò un tipu di cumposti di fibra di carbonu, cù a fibra di carbone cum'è u materiale di rinforzu è u carbone dipositu cum'è u materiale di matrice. A matrice di cumposti C/C hè di carbone. Siccomu hè quasi interamente cumpostu di carbone elementale, hà una eccellente resistenza à alta temperatura ...Leghjite più -
Trè tecniche maiò per a crescita di cristalli SiC
As mustratu in Fig. 3, ci sò trè tecnichi duminanti chì mira à furnisce SiC unicu cristallu cù alta qualità è effciency: epitaxy phase liquid (LPE), trasportu di vapore fisicu (PVT), è dipositu di vapore chimicu high-temperature (HTCVD). PVT hè un prucessu ben stabilitu per pruduce SiC sin ...Leghjite più -
Semicondutturi di terza generazione GaN è breve introduzione di a tecnulugia epitassiale
1. Semicondutturi di terza generazione A tecnulugia di semiconductor di prima generazione hè stata sviluppata basatu annantu à materiali semiconduttori cum'è Si è Ge. Hè a basa materiale per u sviluppu di transistors è tecnulugia di circuiti integrati. I materiali semiconductori di prima generazione anu stabilitu u ...Leghjite più -
23,5 miliardi, u super unicornu di Suzhou va à IPO
Dopu à 9 anni di entrepreneurship, Innoscience hà risuscitatu più di 6 miliardi di yuan in u finanziamentu tutale, è a so valutazione hà righjuntu una stupenda 23,5 miliardi di yuan. A lista di l'investituri hè longu quant'è decine di cumpagnie: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Leghjite più -
Cumu i prudutti di carburu di tantalu aumentanu a resistenza à a corrosione di i materiali?
U revestimentu di carburu di tantalu hè una tecnulugia di trattamentu di superficia cumunimenti usata chì pò migliurà significativamente a resistenza di corrosione di i materiali. U revestimentu di carburu di tantalu pò esse attaccatu à a superficia di u sustrato per mezu di diversi metudi di preparazione, cum'è a deposizione chimica di vapore, fisicu ...Leghjite più
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