Depositu di vapore chimicu(CVD)hè a tecnulugia più largamente usata in l'industria di i semiconduttori per u depositu di una varietà di materiali, cumprese una larga gamma di materiali insulanti, a maiò parte di i materiali metallici è i materiali di lega metallica.
CVD hè una tecnulugia tradiziunale di preparazione di film sottile. U so principiu hè di utilizà precursori gaseous per decompose certi cumpunenti in u precursore attraversu reazzione chimica trà l'atomi è e molécule, è poi formanu una film fina nantu à u sustrato. E caratteristiche basi di CVD sò: cambiamenti chimichi (reazzioni chimichi o decomposizione termale); tutti i materiali in u film venenu da fonti esterni; reactants deve participà à a reazzione in forma di fase gasu.
A deposizione chimica di vapore di bassa pressione (LPCVD), a deposizione di vapore chimicu di plasma (PECVD) è a deposizione di vapore chimicu di plasma à alta densità (HDP-CVD) sò trè tecnulugii CVD cumuni, chì anu differenze significative in a deposizione di materiale, esigenze di l'equipaggiu, cundizioni di prucessu, etc. A seguita hè una spiegazione simplice è paraguni di sti trè tecnulugia.
1. LPCVD (CVD à bassa pressione)
Principiu: Un prucessu CVD sottu cundizioni di pressione bassa. U so principiu hè di inject u gasu di reazzione in a camera di reazzione sottu u vacuum o l'ambiente di bassa pressione, decompone o reagisce u gasu per alta temperatura, è formate un film solidu dipositu nantu à a superficia di u sustrato. Siccomu a bassa pressione reduce a collisione di gasu è a turbulenza, l'uniformità è a qualità di a film sò migliurate. LPCVD hè largamente utilizatu in diossidu di siliciu (LTO TEOS), nitruru di siliciu (Si3N4), polysilicon (POLY), phosphosilicate glass (BSG), borophosphosilicate glass (BPSG), polysilicon dopatu, graphene, nanotubi di carbone è altri filmi.
Features:
▪ Temperature di prucessu: di solitu trà 500 ~ 900 ° C, a temperatura di prucessu hè relativamente altu;
▪ Gamma di pressione di gas: ambiente di bassa pressione di 0,1 ~ 10 Torr;
▪ Film qualità: alta qualità, bona uniformità, bona densità, è pocu difetti;
▪ Tasso di depositu : tassu di depositu lento ;
▪ Uniformità: adattatu per sustrati di grande dimensione, deposizione uniforme;
Vantaghji è svantaghji:
▪ Pò dipositu filmi assai uniformi è densi;
▪ Eseguisce bè nantu à sustrati di grandezza grande, adattati per a pruduzzioni di massa;
▪ Low cost;
▪ Alta temperatura, micca adattatu per i materiali sensibili à u calore;
▪ A rata di depositu hè lenta è a pruduzzioni hè relativamente bassu.
2. PECVD (Plasma Enhanced CVD)
Principiu: Aduprate u plasma per attivà e reazzioni di a fase di gasu à a temperatura più bassa, ionizà è decompone e molécule in u gasu di reazione, è poi deposita filmi sottili nantu à a superficia di u sustrato. L'energia di u plasma pò riduce assai a temperatura necessaria per a reazione, è hà una larga gamma di applicazioni. Diversi filmi metallichi, film inorganici è film organici ponu esse preparati.
Features:
▪ Temperature di prucessu: di solitu trà 200 ~ 400 ° C, a temperatura hè relativamente bassu;
▪ Gamma di pressione di gas: di solitu centinaie di mTorr à parechji Torr;
▪ Qualità di film: ancu s'è l'uniformità di a film hè bona, a densità è a qualità di a film ùn sò micca bè cum'è LPCVD per i difetti chì ponu esse introduttu da u plasma;
▪ Tassa di depositu: alta tarifa, alta efficienza di produzzione;
▪ Uniformità: ligeramente inferior à LPCVD nantu à sustrati di grandezza;
Vantaghji è svantaghji:
▪ I filmi sottili ponu esse dipositu à a temperatura più bassa, adattatu per i materiali sensibili à u calore;
▪ Velocità di deposizione rapida, adattata per a produzzione efficace;
▪ Prucessu flexible, e proprietà di film ponu esse cuntrullati aghjustendu i paràmetri di plasma;
▪ Plasma pò intruduce difetti di film cum'è pinholes o non-uniformità;
▪ Comparatu cù LPCVD, a densità di film è a qualità sò pocu peghju.
3. HDP-CVD (CVD al plasma à alta densità)
Principiu: Una tecnulugia speciale PECVD. HDP-CVD (cunnisciutu ancu ICP-CVD) pò pruduce una densità è una qualità di plasma più altu ch'è l'equipaggiu PECVD tradiziunale à temperature di depositu più bassu. Inoltre, HDP-CVD furnisce un flussu di ioni quasi indipendenti è u cuntrollu di l'energia, migliurà e capacità di riempimentu di trincee o di buchi per a deposizione di film esigenti, cum'è rivestimenti anti-riflettenti, deposizione di materiale dielettricu bassu, etc.
Features:
▪ Temperature di prucessu: temperatura di l'ambienti à 300 ℃, a temperatura di u prucessu hè assai bassu;
▪ Gamma di pressione di gas: trà 1 è 100 mTorr, più bassu di PECVD;
▪ Qualità di film: alta densità di plasma, alta qualità di film, bona uniformità;
▪ Tasso di depositu : u tassu di depositu hè trà LPCVD è PECVD, un pocu più altu cà LPCVD ;
▪ Uniformità: per via di plasma d'alta densità, l'uniformità di film hè eccellente, adattata per superfici di sustrato cumplessu;
Vantaghji è svantaghji:
▪ Capace di deposità filmi d'alta qualità à temperature più bassu, assai adattati per i materiali sensibili à u calore;
▪ Eccellente uniformità di film, densità è liscia di a superficia;
▪ A densità di plasma più alta mellora l'uniformità di a deposizione è e proprietà di film;
▪ Equipamentu cumplicatu è costu più altu;
▪ A velocità di deposizione hè lenta, è l'energia di plasma più alta pò introduci una piccula quantità di danni.
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Tempu di Postu: Dec-03-2024