Chì ghjè u mecanismu di planarizazione di CMP?

Dual-Damascene hè una tecnulugia di prucessu utilizata per fabricà interconnessioni metalliche in circuiti integrati. Hè un sviluppu ulteriore di u prucessu di Damascu. Formendu à traversu buchi è solchi à u stessu tempu in u stessu passu di prucessu è riempie cù metalli, a fabricazione integrata di interconnessioni metalliche hè realizata.

Perchè si chjama Damascu ?

A cità di Damascu hè a capitale di Siria, è e spade di Damascu sò famose per a so nitidezza è a so texture exquisita. Un tipu di prucessu di intarsia hè necessariu: prima, u mudellu necessariu hè incisu nantu à a superficia di l'acciaio di Damascu, è i materiali pre-preparati sò stretti intagliati in i grooves incisi. Dopu chì l'inlay hè cumpletu, a superficia pò esse un pocu irregulare. L'artisgianu li puliscerà cù cura per assicurà a liscia generale. È stu prucessu hè u prototipu di u prucessu duale Damascu di u chip. Prima, i grooves o i buchi sò incisi in a capa dielettrica, è poi u metale hè pienu in elli. Dopu à riempimentu, l'excedente di metallu serà eliminatu da cmp.

I passi principali di u prucessu di damascene duale include:

▪ Depositu di strata dielettrica:

Deposite una capa di materiale dielettricu, cum'è diossidu di siliciu (SiO2), nantu à u semiconductorostia.

▪ Fotolitografia per definisce u mudellu:

Aduprà photolithography à definisce u mudellu di vias è trinchera nantu à a strata dielettrica.

▪Incisione:

Trasferisce u mudellu di vias è trinchera à a capa dielettrica attraversu un prucessu di incisione secca o bagnata.

▪ Depositu di metallu:

Deposite u metale, cum'è u ramu (Cu) o l'aluminiu (Al), in via è trinchera per furmà interconnessioni metalliche.

▪ Lucidatura meccanica chimica:

Pulitura meccanica chimica di a superficia metallica per sguassà l'excedente di metallu è appiattà a superficia.

In cunfrontu cù u prucessu di fabricazione tradiziunale di interconnessione di metalli, u prucessu di damascene duale hà i seguenti vantaghji:

▪ Passi di prucessu simplificatu:da furmendu vias è trinchera simultaneously in u listessu passu prucessu, i passi di prucessu è tempu manifattura sò ridutta.

▪ Efficienza di fabricazione mejorata:duvuta à a riduzzione di passi di prucessu, u prucessu di dual damascene pò migliurà efficienza manifattura è riduce i costi di pruduzzioni.

▪ Migliurà u rendiment di l'interconnessioni metalliche:u prucessu di dual damascene pò ottene interconnects metalli più strette, migliurà cusì l'integrazione è u funziunamentu di i circuiti.

▪Reduce a capacità parassita è a resistenza:aduprendu materiali dielectric low-k è ottimizendu a struttura di interconnessioni metalliche, a capacità parassita è a resistenza pò esse ridutta, migliurà a velocità è u rendiment di cunsumu di energia di i circuiti.