Parte mezzaluna di grafite rivestita di SiCis a chjavecumpunente utilizatu in i prucessi di fabricazione di semiconduttori, in particulare per l'equipaggiu epitaxial SiC.Usemu a nostra tecnulugia patentata per fà a parte di a mezza lunapurezza estremamente alta,benerivestimentuuniformitàè una vita di serviziu eccellente, cum'èalta resistenza chimica è proprietà di stabilità termica.
VET Energy hè luveru fabricatore di prudutti persunalizati di grafite è carburu di siliciu cù rivestimentu CVD,pò furniscevariipezzi persunalizati per l'industria semiconductora è fotovoltaica. Our squadra tecnicu vene da istituzioni di ricerca naziunali superiore, ponu furnisce più suluzioni materiali prufessiunaleper tè.
Sviluppemu continuamente prucessi avanzati per furnisce materiali più avanzati,èanu sviluppatu una tecnulugia patentata esclusiva, chì pò fà u ligame trà u revestimentu è u sustrato più strettu è menu propensu à u distaccu.
Fcaratteristiche di i nostri prudutti:
1. Resistenza à l'ossidazione alta temperatura finu à 1700℃.
2. Purità alta èuniformità termica
3. Eccellente resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.
4. Alta durezza, superficia compacta, particelle fini.
5. A vita di serviziu più longa è più durable
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche basiche di CVD SiCrivestimentu | |
| 性质 / Pruprietà | 典型数值 / Valore tipicu |
| 晶体结构 / Struttura di Cristalli | FCC phase β多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Densità | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Durezza | 2500 维氏硬度（500g di carica） |
| 晶粒大小 / Grain Size | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Purezza chimica | 99,99995% |
| 热容 / Capacità di calore | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperature di sublimazione | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Forza Flexural | 415 MPa RT à 4 punti |
| 杨氏模量 / Modulu di Ghjuventù | 430 Gpa 4pt curva, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalConductivity | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Un cordiale benvenutu per visità a nostra fabbrica, avemu più discussione!
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