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Supporti di grafite rivestiti di SiC
Mantenemu tolleranze assai strette quandu applicà u revestimentu SiC, usendu machining d'alta precisione per assicurà un prufilu susceptor uniforme. Producemu ancu materiali cù proprietà di resistenza elettrica ideali per l'usu in sistemi di riscaldamentu induttivu. Tutti i cumpunenti finiti venenu cù un certificatu di purezza è cumplimentu dimensionale.
A nostra cumpagnia furnisce servizii di prucessu di rivestimentu SiC per u metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, perchè i gasi speciali chì cuntenenu carbonu è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molécule di SiC di alta purezza, molécule depositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendu strata prutittivu SIC. U SIC furmatu hè fermamente ligatu à a basa di grafite, dendu a basa di grafite proprietà spiciali, facendu cusì a superficia di u grafite compactu, senza porosità, resistenza à alta temperatura, resistenza à a corrosione è resistenza à l'ossidazione.
U prucessu CVD furnisce una purezza estremamente alta è una densità teorica di rivestimentu SiC senza porosità. In più, cum'è u carburu di siliciu hè assai duru, pò esse lucidatu à una superficia di specchiu. U rivestimentu di carburu di siliciu CVD (SiC) hà furnitu parechji vantaghji, cumprese a superficia ultra-alta purezza è una durabilità estremamente resistente. Siccomu i prudutti rivestiti anu un grande rendimentu in alta circustanza di vacuum è alta temperatura, sò ideali per l'applicazioni in l'industria di i semiconduttori è altri ambienti ultra-puliti. Furnemu ancu prudutti di grafite piroliticu (PG).
Caratteristiche principali:
1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:
a resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura hè alta cum'è 1600 C.
2. Purità alta: fatta da a deposizione di vapore chimicu sottu a cundizione di chlorination à alta temperatura.
3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compacta, particelle fini.
4. Resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.
Specificazioni principali di i rivestimenti CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densità | (g/cc)
| 3.21 |
Forza Flexural | (Mpa)
| 470 |
Espansione termale | (10-6/K) | 4
|
Conduttività termica | (W/mK) | 300 |
Applicazione: U rivestimentu di carburu di siliciu CVD hè statu digià appiicatu in l'industrii di semiconduttori, cum'è a tavola MOCVD, RTP è a camera di incisione d'ossidu, postu chì u nitruru di siliciu hà una grande resistenza di scossa termica è pò sustene u plasma d'alta energia.
-Carbure di siliciu hè largamente usatu in semiconductor è revestimentu.
Capacità di furnimentu:
10000 Piece / Pieces per Month
Imballaggio è consegna:
Imballaggio: Imballaggio standard è forte
Poly bag + Box + Carton + Pallet
Portu:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Comportu:
quantità (pezzi) | 1 - 1000 | > 1000 |
Est. Tempu (ghjorni) | 15 | Per esse negoziatu |
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