Filament di reniu puru prufessiunale cinese - Mocvd

Descrizione breve:


  • Locu d'origine:Cina
  • Struttura cristallina:Fase FCCβ
  • Densità:3,21 g/cm
  • Durezza:2500 Vickers
  • Grandezza di granu:2 ~ 10 μm
  • Purezza chimica:99,99995%
  • Capacità di calore:640J·kg-1·K-1
  • Temperatura di sublimazione:2700 ℃
  • Forza Flessurale:415 Mpa (RT à 4 punti)
  • Modulu di Young :430 Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃)
  • Dilatazione termica (CTE) :4,5 10-6K-1
  • Conduttività termica:300 (W/MK)
  • Detail di u produttu

    Tags di u produttu

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    Supporti di grafite rivestiti di SiC

    Descrizzione di u produttu

    Mantenemu tolleranze assai strette quandu applicà u revestimentu SiC, usendu machining d'alta precisione per assicurà un prufilu susceptor uniforme. Producemu ancu materiali cù proprietà di resistenza elettrica ideali per l'usu in sistemi di riscaldamentu induttivu. Tutti i cumpunenti finiti venenu cù un certificatu di purezza è cumplimentu dimensionale.

    A nostra cumpagnia furnisce servizii di prucessu di rivestimentu SiC per u metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, perchè i gasi speciali chì cuntenenu carbonu è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molécule di SiC di alta purezza, molécule depositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendu strata prutittivu SIC. U SIC furmatu hè fermamente ligatu à a basa di grafite, dendu a basa di grafite proprietà spiciali, facendu cusì a superficia di u grafite compactu, senza porosità, resistenza à alta temperatura, resistenza à a corrosione è resistenza à l'ossidazione.

    2

    U prucessu CVD furnisce una purezza estremamente alta è una densità teorica di rivestimentu SiC senza porosità. In più, cum'è u carburu di siliciu hè assai duru, pò esse lucidatu à una superficia di specchiu. U rivestimentu di carburu di siliciu CVD (SiC) hà furnitu parechji vantaghji, cumprese a superficia ultra-alta purezza è una durabilità estremamente resistente. Siccomu i prudutti rivestiti anu un grande rendimentu in alta circustanza di vacuum è alta temperatura, sò ideali per l'applicazioni in l'industria di i semiconduttori è altri ambienti ultra-puliti. Furnemu ancu prudutti di grafite piroliticu (PG).

    Caratteristiche principali:

    1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:

    a resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura hè alta cum'è 1600 C.

    2. Purità alta: fatta da a deposizione di vapore chimicu sottu a cundizione di chlorination à alta temperatura.

    3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compacta, particelle fini.

    4. Resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.

    Specificazioni principali di i rivestimenti CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densità

    (g/cc)

    3.21

    Forza Flexural

    (Mpa)

    470

    Espansione termale

    (10-6/K)

    4

    Conduttività termica

    (W/mK)

    300

    Applicazione: U rivestimentu di carburu di siliciu CVD hè statu digià appiicatu in l'industrii di semiconduttori, cum'è a tavola MOCVD, RTP è a camera di incisione d'ossidu, postu chì u nitruru di siliciu hà una grande resistenza di scossa termica è pò sustene u plasma d'alta energia.
    -Carbure di siliciu hè largamente usatu in semiconductor è revestimentu.

    Capacità di furnimentu:

    10000 Piece / Pieces per Month
    Imballaggio è consegna:
    Imballaggio: Imballaggio standard è forte
    Poly bag + Box + Carton + Pallet
    Portu:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Comportu:

    quantità (pezzi) 1 - 1000 > 1000
    Est. Tempu (ghjorni) 15 Per esse negoziatu

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