U Wafer SiC Semi Insulating 6 Inch da VET Energy hè una soluzione avanzata per applicazioni d'alta putenza è di alta frequenza, chì offre una conducibilità termica superiore è un insulazione elettrica. Sti wafers semi-insulating sò essenziali in u sviluppu di dispusitivi cum'è amplificatori RF, switches di putenza, è altri cumpunenti high-voltage. VET Energy assicura una qualità è un rendimentu consistente, facendu questi wafer ideali per una larga gamma di prucessi di fabricazione di semiconduttori.
In più di e so eccezziunali proprietà insulanti, sti wafers SiC sò cumpatibili cù una varietà di materiali cumpresi Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate è Epi Wafer, rendenduli versatili per diversi tipi di prucessi di fabricazione. Inoltre, materiali avanzati cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer ponu esse aduprati in cumminazione cù questi wafers SiC, furnisce ancu più flessibilità in i dispositi elettronichi d'alta putenza. I wafers sò pensati per una integrazione perfetta cù i sistemi di gestione standard di l'industria cum'è i sistemi Cassette, assicurendu a facilità d'utilizazione in i paràmetri di produzzione di massa.
VET Energy offre una cartera cumpleta di sustrati semiconduttori, cumprese Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, è AlN Wafer. A nostra diversa linea di prudutti risponde à i bisogni di diverse applicazioni elettroniche, da l'elettronica di putenza à RF è optoelettronica.
Le wafer SiC semi-insulant de 6 pouces offre plusieurs avantages :
Alta tensione di rottura: L'ampia bandgap di SiC permette tensioni di rottura più elevate, chì permettenu dispositivi di putenza più compacti è efficienti.
Funzionamentu à alta temperatura: L'eccellente conducibilità termica di SiC permette u funziunamentu à temperature più elevate, migliurà l'affidabilità di u dispusitivu.
Bassa resistenza: i dispositi SiC mostranu una resistenza più bassa, riducendu e perdite di energia è migliurà l'efficienza energetica.
VET Energy offre wafers SiC persunalizabili per risponde à i vostri bisogni specifichi, cumprese diversi spessori, livelli di doping è finiture di superficia. U nostru squadra di esperti furnisce supportu tecnicu è serviziu post-vendita per assicurà u vostru successu.
SPECIFICAZIONI WAFERING
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6um | ≤ 6um | |||
Arcu (GF3YFCD) - Valore assolutu | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Bisellu |
FINITURA DI SUPERFICIE
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Finitura di a superficia | Lucidatura ottica doppia faccia, Si-Face CMP | ||||
Rugosità di a superficia | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips Edge | Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
Indentati | Nisunu permessu | ||||
Scratchs (Si-Face) | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | ||
Cracks | Nisunu permessu | ||||
Exclusion Edge | 3 mm |