Wafer SiC semi-isolante da 6 pollici

Descrizione breve:

La wafer di carburo di silicio semi-isolante (SiC) di VET Energy da 6 pollici è un substrato di alta qualità ideale per una vasta gamma di applicazioni elettroniche di potenza. VET Energy impiega tecniche di crescita avanzate per pruduce wafers di SiC cù una qualità di cristalli eccezziunale, bassa densità di difetti è alta resistività.


Detail di u produttu

Tags di u produttu

U Wafer SiC Semi Insulating 6 Inch da VET Energy hè una soluzione avanzata per applicazioni d'alta putenza è di alta frequenza, chì offre una conducibilità termica superiore è un insulazione elettrica. Sti wafers semi-insulating sò essenziali in u sviluppu di dispusitivi cum'è amplificatori RF, switches di putenza, è altri cumpunenti high-voltage. VET Energy assicura una qualità è un rendimentu consistente, facendu questi wafer ideali per una larga gamma di prucessi di fabricazione di semiconduttori.

In più di e so eccezziunali proprietà insulanti, sti wafers SiC sò cumpatibili cù una varietà di materiali cumpresi Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate è Epi Wafer, rendenduli versatili per diversi tipi di prucessi di fabricazione. Inoltre, materiali avanzati cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer ponu esse aduprati in cumminazione cù questi wafers SiC, furnisce ancu più flessibilità in i dispositi elettronichi d'alta putenza. I wafers sò pensati per una integrazione perfetta cù i sistemi di gestione standard di l'industria cum'è i sistemi Cassette, assicurendu a facilità d'utilizazione in i paràmetri di produzzione di massa.

VET Energy offre una cartera cumpleta di sustrati semiconduttori, cumprese Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, è AlN Wafer. A nostra diversa linea di prudutti risponde à i bisogni di diverse applicazioni elettroniche, da l'elettronica di putenza à RF è optoelettronica.

Le wafer SiC semi-insulant de 6 pouces offre plusieurs avantages :
Alta tensione di rottura: L'ampia bandgap di SiC permette tensioni di rottura più elevate, chì permettenu dispositivi di putenza più compacti è efficienti.
Funzionamentu à alta temperatura: L'eccellente conducibilità termica di SiC permette u funziunamentu à temperature più elevate, migliurà l'affidabilità di u dispusitivu.
Bassa resistenza: i dispositi SiC mostranu una resistenza più bassa, riducendu e perdite di energia è migliurà l'efficienza energetica.

VET Energy offre wafers SiC persunalizabili per risponde à i vostri bisogni specifichi, cumprese diversi spessori, livelli di doping è finiture di superficia. U nostru squadra di esperti furnisce supportu tecnicu è serviziu post-vendita per assicurà u vostru successu.

第6页-36
第6页-35

SPECIFICAZIONI WAFERING

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante

Articulu

8-inch

6-inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤ 6um

≤ 6um

Arcu (GF3YFCD) - Valore assolutu

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm

<2μm

Wafer Edge

Bisellu

FINITURA DI SUPERFICIE

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante

Articulu

8-inch

6-inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Finitura di a superficia

Lucidatura ottica doppia faccia, Si-Face CMP

Rugosità di a superficia

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips Edge

Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥ 0,5 mm)

Indentati

Nisunu permessu

Scratchs (Si-Face)

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Cracks

Nisunu permessu

Exclusion Edge

3 mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Previous:
  • Next:

  • Chat in ligna WhatsApp!