Balita

Pasiuna sa ikatulo nga henerasyon nga semiconductor GaN ug may kalabutan nga teknolohiya sa epitaxial
pinaagi sa admin sa 24-06-25
1. Third-generation semiconductors Ang unang-generation nga semiconductor nga teknolohiya gimugna base sa semiconductor nga mga materyales sama sa Si ug Ge. Kini ang materyal nga sukaranan alang sa pag-uswag sa mga transistor ug teknolohiya sa integrated circuit. Ang una nga henerasyon nga mga materyales sa semiconductor nagbutang sa f ...
Basaha ang dugang pa
Pagtuon sa numerical simulation sa epekto sa porous graphite sa pagtubo sa kristal nga silicon carbide
pinaagi sa admin sa 24-06-18
Ang sukaranan nga proseso sa pagtubo sa kristal nga SiC gibahin sa sublimation ug pagkadunot sa mga hilaw nga materyales sa taas nga temperatura, transportasyon sa mga sangkap sa yugto sa gas sa ilawom sa paglihok sa gradient sa temperatura, ug pag-recrystallization nga pagtubo sa mga sangkap sa gas phase sa kristal nga binhi. Base niini, ang...
Basaha ang dugang pa
Mga Matang sa Espesyal nga Graphite
pinaagi sa admin sa 24-06-17
Ang espesyal nga graphite usa ka taas nga kaputli, taas nga densidad ug taas nga kusog nga graphite nga materyal ug adunay maayo kaayo nga pagsukol sa kaagnasan, taas nga kalig-on sa temperatura ug daghang konduktibidad sa kuryente. Gihimo kini sa natural o artipisyal nga graphite pagkahuman sa taas nga temperatura nga pagtambal sa kainit ug pagproseso sa taas nga presyur ...
Basaha ang dugang pa
Pag-analisar sa mga kagamitan sa pagdeposito sa manipis nga pelikula - ang mga prinsipyo ug aplikasyon sa kagamitan sa PECVD / LPCVD / ALD
pinaagi sa admin sa 24-06-12
Ang manipis nga film deposition mao ang pagsul-ob sa usa ka layer sa pelikula sa nag-unang substrate nga materyal sa semiconductor. Kini nga pelikula mahimo nga lain-laing mga materyales, sama sa insulating compound silicon dioxide, semiconductor polysilicon, metal tumbaga, ug uban pa Ang mga ekipo nga gigamit alang sa sapaw gitawag thin film deposition ...
Basaha ang dugang pa
Importante nga mga materyales nga nagtino sa kalidad sa monocrystalline silicon nga pagtubo - thermal field
pinaagi sa admin sa 24-06-12
Ang proseso sa pagtubo sa monocrystalline silicon hingpit nga gidala sa thermal field. Ang usa ka maayo nga natad sa kainit makatabang sa pagpauswag sa kalidad sa mga kristal ug adunay mas taas nga kahusayan sa pag-kristal. Ang disenyo sa thermal field kadaghanan nagtino sa mga kausaban sa temperatura gradients...
Basaha ang dugang pa
Unsa ang mga teknikal nga kalisud sa silicon carbide crystal growth furnace?
pinaagi sa admin sa 24-06-07
Ang hudno sa pagtubo sa kristal mao ang kinauyokan nga kagamitan alang sa pagtubo sa kristal nga silicon carbide. Kini susama sa tradisyonal nga kristal nga silicon nga grado nga kristal nga hudno sa pagtubo. Ang istruktura sa hudno dili kaayo komplikado. Nag-una kini nga gilangkuban sa lawas sa hudno, sistema sa pagpainit, mekanismo sa transmission sa coil ...
Basaha ang dugang pa
Unsa ang mga depekto sa silicon carbide epitaxial layer
pinaagi sa admin sa 24-06-05
Ang kinauyokan nga teknolohiya alang sa pagtubo sa SiC epitaxial nga mga materyales mao ang una nga teknolohiya sa pagkontrol sa depekto, labi na alang sa teknolohiya sa pagkontrol sa depekto nga dali sa pagkapakyas sa aparato o pagkadaot sa kasaligan. Ang pagtuon sa mekanismo sa mga depekto sa substrate nga nag-abot sa epi...
Basaha ang dugang pa
Oxidized nga nagbarog nga lugas ug epitaxial nga teknolohiya sa pagtubo-Ⅱ
pinaagi sa admin sa 24-05-30
3. Epitaxial thin film growth Ang substrate naghatag ug physical support layer o conductive layer para sa Ga2O3 power devices. Ang sunod nga importante nga layer mao ang channel layer o epitaxial layer nga gigamit alang sa resistensya sa boltahe ug transportasyon sa carrier. Aron madugangan ang breakdown boltahe ug maminusan ang conduc...
Basaha ang dugang pa
Gallium oxide single crystal ug epitaxial growth technology
pinaagi sa admin sa 24-05-30
Ang lapad nga bandgap (WBG) semiconductors nga girepresentahan sa silicon carbide (SiC) ug gallium nitride (GaN) nakadawat og kaylap nga pagtagad. Ang mga tawo adunay taas nga mga gilauman alang sa mga prospect sa aplikasyon sa silicon carbide sa mga de-koryenteng salakyanan ug mga grids sa kuryente, ingon man ang mga prospect sa aplikasyon sa gallium ...
Basaha ang dugang pa

<< Kaniadto 1 2 3 4 5 6 Sunod >>> Pahina 4 / 56

Balita

Pasiuna sa ikatulo nga henerasyon nga semiconductor GaN ug may kalabutan nga teknolohiya sa epitaxial

Pagtuon sa numerical simulation sa epekto sa porous graphite sa pagtubo sa kristal nga silicon carbide

Mga Matang sa Espesyal nga Graphite

Pag-analisar sa mga kagamitan sa pagdeposito sa manipis nga pelikula - ang mga prinsipyo ug aplikasyon sa kagamitan sa PECVD / LPCVD / ALD

Importante nga mga materyales nga nagtino sa kalidad sa monocrystalline silicon nga pagtubo - thermal field

Unsa ang mga teknikal nga kalisud sa silicon carbide crystal growth furnace?

Unsa ang mga depekto sa silicon carbide epitaxial layer

Oxidized nga nagbarog nga lugas ug epitaxial nga teknolohiya sa pagtubo-Ⅱ

Gallium oxide single crystal ug epitaxial growth technology

Pipila ka mga matang sa mga proseso alang sa gahum semi...

BCD nga proseso

BJT, CMOS, DMOS ug uban pang mga semiconductor p...

Semiconductor patterning proseso dagan-ug uban pa...

Pagpanukiduki sa 8-pulgada nga SiC epitaxial furnace ...