6 pulgada N Type SiC Wafer

Mubo nga Deskripsyon:

Ang 6 Inch N Type SiC Wafer gikan sa VET Energy kay usa ka high-performance substrate nga gidisenyo para sa advanced semiconductor applications, nga nagtanyag og superyor nga thermal conductivity ug power efficiency. Ang VET Energy naggamit sa pinakabag-o nga teknolohiya aron makahimo og mga de-kalidad nga mga wafer nga makatubag sa higpit nga mga panginahanglanon sa modernong electronics, nga nagsiguro sa kasaligan ug kalig-on sa mga power device.


Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Kini nga 6 Inch N Type SiC Wafer gi-engineered alang sa gipaayo nga pasundayag sa grabe nga mga kahimtang, nga naghimo niini nga usa ka sulundon nga kapilian alang sa mga aplikasyon nga nanginahanglan taas nga gahum ug pagsukol sa temperatura. Ang mga importanteng produkto nga may kalabotan niini nga wafer naglakip sa Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, ug SiN Substrate. Kini nga mga materyales nagsiguro nga labing maayo nga pasundayag sa lainlaing mga proseso sa paghimo sa semiconductor, nga makapaarang sa mga aparato nga parehas nga episyente sa enerhiya ug lig-on.

Para sa mga kompanya nga nagtrabaho kauban ang Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette, o AlN Wafer, ang 6 Inch N Type nga SiC Wafer sa VET Energy naghatag sa kinahanglan nga pundasyon alang sa bag-ong pag-uswag sa produkto. Bisan kung kini sa high-power electronics o ang pinakabag-o sa RF nga teknolohiya, kini nga mga wafer nagsiguro sa maayo kaayo nga conductivity ug gamay nga thermal resistance, nga nagduso sa mga utlanan sa kahusayan ug performance.

第6页-36
第6页-35

MGA ESPESPIKASYON SA WAFERING

*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

butang

8-pulgada

6-pulgada

4-pulgada

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Hingpit nga Bili

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Nag-beveling

KATAPUSAN SA LUWAS

*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

butang

8-pulgada

6-pulgada

4-pulgada

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Paghuman sa nawong

Doble nga kilid nga Optical Polish, Si- Nawong CMP

Pagkabaga sa nawong

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Nawong Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Nawong Ra≤0.2nm
C-Nawong Ra≤0.5nm

Edge Chips

Walay Gitugotan (gitas-on ug gilapdon≥0.5mm)

Mga indent

Walay Gitugotan

Mga garas(Si-Nawong)

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5×wafer diametro

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5×wafer diametro

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5×wafer diametro

Mga liki

Walay Gitugotan

Eksklusyon sa Edge

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Kaniadto:
  • Sunod:

  • WhatsApp Online nga Chat!