Kini nga 6 Inch N Type SiC Wafer gi-engineered alang sa gipaayo nga pasundayag sa grabe nga mga kahimtang, nga naghimo niini nga usa ka sulundon nga kapilian alang sa mga aplikasyon nga nanginahanglan taas nga gahum ug pagsukol sa temperatura. Ang mga importanteng produkto nga may kalabotan niini nga wafer naglakip sa Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, ug SiN Substrate. Kini nga mga materyales nagsiguro nga labing maayo nga pasundayag sa lainlaing mga proseso sa paghimo sa semiconductor, nga makapaarang sa mga aparato nga parehas nga episyente sa enerhiya ug lig-on.
Para sa mga kompanya nga nagtrabaho kauban ang Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette, o AlN Wafer, ang 6 Inch N Type nga SiC Wafer sa VET Energy naghatag sa kinahanglan nga pundasyon alang sa bag-ong pag-uswag sa produkto. Bisan kung kini sa high-power electronics o ang pinakabag-o sa RF nga teknolohiya, kini nga mga wafer nagsiguro sa maayo kaayo nga conductivity ug gamay nga thermal resistance, nga nagduso sa mga utlanan sa kahusayan ug pasundayag.
MGA ESPESPIKASYON SA WAFERING
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Hingpit nga Bili | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Nag-beveling |
TAPUSAN SA LUWAS
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Paghuman sa nawong | Doble nga kilid nga Optical Polish, Si- Nawong CMP | ||||
Pagkabaga sa nawong | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Nawong Ra≤0.2nm | |||
Edge Chips | Walay Gitugotan (gitas-on ug gilapdon≥0.5mm) | ||||
Mga indent | Walay Gitugotan | ||||
Mga garas(Si-Nawong) | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | ||
Mga liki | Walay Gitugotan | ||||
Eksklusyon sa Edge | 3mm |