Ang 8-pulgada nga silicon wafer sa VET Energy kay kaylap nga gigamit sa power electronics, sensors, integrated circuits ug uban pang field. Isip usa ka lider sa industriya sa semiconductor, kami komitado sa paghatag og taas nga kalidad nga mga produkto sa Si Wafer aron matubag ang nagkadako nga panginahanglan sa among mga kustomer.
Gawas pa sa Si Wafer, ang VET Energy naghatag usab og daghang halapad nga semiconductor substrate nga mga materyales, lakip ang SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, ug uban pa. Ang among linya sa produkto naglangkob usab sa bag-ong lapad nga bandgap semiconductor nga mga materyales sama sa Gallium Oxide Ga2O3 ug AlN Wafer, nga naghatag lig-on nga suporta alang sa pag-uswag sa sunod nga henerasyon nga gahum sa elektronik nga mga aparato.
Ang VET Energy adunay mga advanced nga kagamitan sa produksiyon ug usa ka kompleto nga sistema sa pagdumala sa kalidad aron masiguro nga ang matag wafer nagtagbo sa higpit nga mga sumbanan sa industriya. Ang among mga produkto dili lamang adunay maayo kaayo nga elektrikal nga mga kabtangan, apan adunay maayo usab nga mekanikal nga kusog ug kalig-on sa kainit.
Ang VET Energy naghatag sa mga kustomer og customized wafer solutions, lakip ang wafers nga lainlaig gidak-on, tipo ug doping concentrations. Dugang pa, naghatag usab kami ug propesyonal nga teknikal nga suporta ug serbisyo pagkahuman sa pagbaligya aron matabangan ang mga kostumer nga masulbad ang lainlaing mga problema nga nasugatan sa proseso sa produksiyon.
MGA ESPESPIKASYON SA WAFERING
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Hingpit nga Bili | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Nag-beveling |
KATAPUSAN SA LUWAS
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Paghuman sa nawong | Doble nga kilid nga Optical Polish, Si- Nawong CMP | ||||
Pagkabaga sa nawong | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Nawong Ra≤0.2nm | |||
Edge Chips | Walay Gitugotan (gitas-on ug gilapdon≥0.5mm) | ||||
Mga indent | Walay Gitugotan | ||||
Mga garas(Si-Nawong) | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | ||
Mga liki | Walay Gitugotan | ||||
Eksklusyon sa Edge | 3mm |