4 Inch GaN sa SiC Wafer

Mubo nga Deskripsyon:

Ang 4-pulgada nga GaN sa VET Energy sa SiC wafer usa ka rebolusyonaryong produkto sa natad sa power electronics. Kini nga wafer naghiusa sa maayo kaayo nga thermal conductivity sa silicon carbide (SiC) nga adunay taas nga densidad sa gahum ug ubos nga pagkawala sa gallium nitride (GaN), nga naghimo niini nga usa ka sulundon nga kapilian alang sa paghimo sa high-frequency, high-power nga mga aparato. Gisiguro sa VET Energy ang maayo kaayo nga performance ug pagkamakanunayon sa wafer pinaagi sa advanced MOCVD epitaxial technology.


Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Ang linya sa produkto sa VET Energy dili limitado sa GaN sa mga wafer sa SiC. Naghatag usab kami usa ka halapad nga materyal nga substrate sa semiconductor, lakip ang Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, ug uban pa. Wafer, aron matubag ang umaabot nga panginahanglan sa industriya sa elektroniko sa kuryente alang sa mas taas nga mga aparato sa pasundayag.

Ang VET Energy naghatag ug flexible customization nga mga serbisyo, ug maka-customize sa GaN epitaxial layers sa lain-laing gibag-on, lain-laing klase sa doping, ug lain-laing wafer sizes sumala sa piho nga panginahanglan sa mga kustomer. Dugang pa, naghatag usab kami ug propesyonal nga teknikal nga suporta ug serbisyo pagkahuman sa pagbaligya aron matabangan ang mga kostumer nga dali nga makapalambo sa high-performance nga gahum sa mga elektronik nga aparato.

第6页-36
第6页-35

MGA ESPESPIKASYON SA WAFERING

*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

butang

8-pulgada

6-pulgada

4-pulgada

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Hingpit nga Bili

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Nag-beveling

TAPUSAN SA LUWAS

*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

butang

8-pulgada

6-pulgada

4-pulgada

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Paghuman sa nawong

Doble nga kilid nga Optical Polish, Si- Nawong CMP

Pagkabaga sa nawong

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Nawong Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Nawong Ra≤0.2nm
C-Nawong Ra≤0.5nm

Edge Chips

Walay Gitugotan (gitas-on ug gilapdon≥0.5mm)

Mga indent

Walay Gitugotan

Mga garas(Si-Nawong)

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5×wafer diametro

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5×wafer diametro

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5×wafer diametro

Mga liki

Walay Gitugotan

Eksklusyon sa Edge

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Kaniadto:
  • Sunod:

  • WhatsApp Online nga Chat!