Ang linya sa produkto sa VET Energy dili limitado sa mga wafer sa silicon. Naghatag usab kami usa ka halapad nga materyal nga substrate sa semiconductor, lakip ang SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, ug uban pa, ingon usab ang bag-ong lapad nga bandgap semiconductor nga mga materyales sama sa Gallium Oxide Ga2O3 ug AlN Wafer. Kini nga mga produkto makatubag sa mga panginahanglan sa aplikasyon sa lain-laing mga kustomer sa gahum electronics, radyo frequency, sensor ug uban pang mga natad.
Mga natad sa aplikasyon:
•Mga integrated circuit:Ingon nga sukaranan nga materyal alang sa paghimo sa integrated circuit, ang P-type nga silicon wafer kaylap nga gigamit sa lainlaing mga logic circuit, panumduman, ug uban pa.
•Gahum nga mga gamit:Ang P-type nga silicon wafers mahimong gamiton sa paghimo sa mga power device sama sa power transistors ug diodes.
•Mga sensor:P-type nga silicon wafers mahimong gamiton sa paghimo sa lain-laing mga matang sa mga sensor, sama sa pressure sensor, temperatura sensor, ug uban pa.
•Mga solar cell:Ang P-type nga silicon wafer usa ka importante nga bahin sa solar cells.
Ang VET Energy naghatag sa mga kustomer og customized wafer solutions, ug maka-customized sa mga wafers nga adunay lain-laing resistivity, lain-laing oxygen content, lain-laing gibag-on ug uban pang specifications sumala sa piho nga panginahanglan sa mga kustomer. Dugang pa, naghatag usab kami ug propesyonal nga teknikal nga suporta ug serbisyo pagkahuman sa pagbaligya aron matabangan ang mga kostumer nga masulbad ang lainlaing mga problema nga nasugatan sa proseso sa produksiyon.
MGA ESPESPIKASYON SA WAFERING
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Hingpit nga Bili | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Nag-beveling |
TAPUSAN SA LUWAS
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Paghuman sa nawong | Doble nga kilid nga Optical Polish, Si- Nawong CMP | ||||
Pagkabaga sa nawong | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Nawong Ra≤0.2nm | |||
Edge Chips | Walay Gitugotan (gitas-on ug gilapdon≥0.5mm) | ||||
Mga indent | Walay Gitugotan | ||||
Mga garas(Si-Nawong) | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | ||
Mga liki | Walay Gitugotan | ||||
Eksklusyon sa Edge | 3mm |