vet-china presenta l'innovador Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, una solució integral per al processament avançat de semiconductors. Dissenyat amb una precisió meticulosa, aquest sistema de manipulació d'hòsties proporciona una estabilitat i una alineació inigualables, crucials per a entorns de fabricació d'alta eficiència.
El vaixell i pedestal de l'oblea de columna vertical està construït amb materials de primera qualitat que garanteixen l'estabilitat tèrmica i la resistència a la corrosió química, el que el fa adequat per als processos de fabricació de semiconductors més exigents. El seu disseny de columna vertical únic suporta les hòsties de manera segura, reduint el risc de desalineació i danys potencials durant el transport i el processament.
Amb la integració del vaixell i pedestal d'hòstia de columna vertical de vet-china, els fabricants de semiconductors poden esperar un rendiment millorat, un temps d'inactivitat minimitzat i un augment del rendiment del producte. Aquest sistema és compatible amb diferents mides i configuracions d'hòsties, oferint flexibilitat i escalabilitat per a diferents necessitats de producció.
El compromís de vet-china amb l'excel·lència garanteix que cada vaixell i pedestal d'hòstia de columna vertical compleixi amb els més alts estàndards de qualitat i rendiment. En triar aquesta solució d'avantguarda, invertiu en un enfocament de futur per al maneig d'hòsties que maximitza l'eficiència i la fiabilitat en la fabricació de semiconductors.
Propietats del carbur de silici recristal·litzat
El carbur de silici recristalitzat (R-SiC) és un material d'alt rendiment amb una duresa només superada pel diamant, que es forma a una temperatura elevada per sobre de 2000 ℃. Conserva moltes propietats excel·lents de SiC, com ara resistència a alta temperatura, forta resistència a la corrosió, excel·lent resistència a l'oxidació, bona resistència al xoc tèrmic, etc.
● Excel·lents propietats mecàniques. El carbur de silici recristalitzat té una resistència i rigidesa més alta que la fibra de carboni, una gran resistència a l'impacte, pot tenir un bon rendiment en entorns de temperatures extremes, pot tenir un millor rendiment de contrapès en diverses situacions. A més, també té una bona flexibilitat i no es fa malbé fàcilment amb l'estirament i la flexió, la qual cosa millora molt el seu rendiment.
● Alta resistència a la corrosió. El carbur de silici recristal·litzat té una alta resistència a la corrosió a diversos mitjans, pot prevenir l'erosió d'una varietat de mitjans corrosius, pot mantenir les seves propietats mecàniques durant molt de temps, té una forta adhesió, de manera que té una vida útil més llarga. A més, també té una bona estabilitat tèrmica, pot adaptar-se a un determinat rang de canvis de temperatura, millorar el seu efecte d'aplicació.
● La sinterització no es redueix. Com que el procés de sinterització no es redueix, cap tensió residual provocarà deformacions o esquerdes del producte, i es poden preparar peces amb formes complexes i alta precisió.
| 重结晶碳化硅物理特性 Propietats físiques del carbur de silici recristal·litzat | |
| 性质 / Propietat | 典型数值 / Valor típic |
| 使用温度/ Temperatura de treball (°C) | 1600 °C (amb oxigen), 1700 °C (entorn reductor) |
| SiC含量/ Contingut SiC | > 99,96% |
| 自由Si含量/ Contingut gratuït Si | < 0,1% |
| 体积密度/Densitat aparent | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率/ Porositat aparent | < 16% |
| 抗压强度/ Resistència a la compressió | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Resistència a la flexió en fred | 80-90 MPa (20 °C) |
| 高温抗弯强度Resistència a la flexió en calent | 90-100 MPa (1400 °C) |
| 热膨胀系数/ Expansió tèrmica @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数/Conductivitat tèrmica @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Mòdul elàstic | 240 GPa |
| 抗热震性/ Resistència al xoc tèrmic | Extremadament bo |
L'Energia VET és elfabricant real de productes personalitzats de grafit i carbur de silici amb recobriment CVD,pot subministrardiversospeces personalitzades per a la indústria de semiconductors i fotovoltaica. OEl nostre equip tècnic prové de les principals institucions de recerca nacionals, pot oferir solucions materials més professionalsper tu.
Desenvolupem contínuament processos avançats per proporcionar materials més avançats,ihan elaborat una tecnologia patentada exclusiva, que pot fer que la unió entre el recobriment i el substrat sigui més estreta i menys propensa al despreniment.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Propietats físiques bàsiques de CVD SiCrecobriment | |
| 性质 / Propietat | 典型数值 / Valor típic |
| 晶体结构 / Estructura de cristall | Fase β de la FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Densitat | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Duresa | 2500 维氏硬度（càrrega de 500 g） |
| 晶粒大小 / Mida del gra | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Puresa química | 99,99995% |
| 热容 / Capacitat calorífica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura de sublimació | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Resistència a la flexió | 415 MPa RT de 4 punts |
| 杨氏模量 / Mòdul de joventut | 430 Gpa de 4 punts, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalConductivitat | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Expansió tèrmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Us donem la benvinguda a visitar la nostra fàbrica, anem a parlar més!
