SiC presvučen grafitnim polumjesečnim dijelomis a ključkomponenta koja se koristi u procesima proizvodnje poluvodiča, posebno za SiC epitaksijalnu opremu.Koristimo našu patentiranu tehnologiju za izradu polumjesecaizuzetno visoke čistoće,dobropremazivanjeuniformnosti odličan vijek trajanja, kao ivisoka hemijska otpornost i svojstva termičke stabilnosti.
VET Energy je thepravi proizvođač prilagođenih proizvoda od grafita i silicijum karbida sa CVD premazom,može snabdjetirazneprilagođeni dijelovi za poluvodičku i fotonaponsku industriju. OVaš tehnički tim dolazi iz vrhunskih domaćih istraživačkih institucija, može pružiti profesionalnija materijalna rješenjaza tebe.
Kontinuirano razvijamo napredne procese za pružanje naprednijih materijala,irazvili su ekskluzivnu patentiranu tehnologiju, koja može učiniti vezu između premaza i podloge čvršćom i manje sklonom odvajanju.
Fjelo naših proizvoda:
1. Otpornost na oksidaciju pri visokim temperaturama do 1700℃.
2. Visoka čistoća itermička uniformnost
3. Odlična otpornost na koroziju: kiseline, alkalije, soli i organski reagensi.
4. Visoka tvrdoća, kompaktna površina, fine čestice.
5. Duži vijek trajanja i izdržljiviji
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Osnovna fizička svojstva CVD SiCpremazivanje | |
| 性质 / Nekretnina | 典型数值 / Tipična vrijednost |
| 晶体结构 / Kristalna struktura | FCC β faza多晶,主要为（111）取向 |
| 密度 / Gustina | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Tvrdoća | 2500 维氏硬度 (500g opterećenje) |
| 晶粒大小 / Veličina zrna | 2~10μm |
| 纯度 / Hemijska čistoća | 99,99995% |
| 热容 / Toplotni kapacitet | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura sublimacije | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Čvrstoća na savijanje | 415 MPa RT 4 tačke |
| 杨氏模量 / Youngov modul | 430 Gpa 4pt krivina, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalProvodljivost | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / termička ekspanzija (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Srdačno vas pozdravljamo da posjetite našu tvornicu, idemo dalje razgovarati!
