খবর

সিলিকন কার্বাইডের প্রযুক্তিগত বাধা কি?Ⅱ
24-05-22 তারিখে অ্যাডমিন দ্বারা
স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা সহ স্থিরভাবে ভর-উৎপাদনকারী উচ্চ-মানের সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারের প্রযুক্তিগত অসুবিধাগুলির মধ্যে রয়েছে: 1) যেহেতু 2000 ডিগ্রি সেলসিয়াসের উপরে একটি উচ্চ-তাপমাত্রা সিল করা পরিবেশে স্ফটিকগুলি বৃদ্ধি করা প্রয়োজন, তাই তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণের প্রয়োজনীয়তাগুলি অত্যন্ত বেশি; 2) যেহেতু সিলিকন কার্বাইডে বেশি...
আরও পড়ুন
সিলিকন কার্বাইড প্রযুক্তিগত বাধা কি কি?
24-05-22 তারিখে অ্যাডমিন দ্বারা
সেমিকন্ডাক্টর উপকরণের প্রথম প্রজন্মের ঐতিহ্যগত সিলিকন (Si) এবং জার্মেনিয়াম (Ge) দ্বারা প্রতিনিধিত্ব করা হয়, যা ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট উত্পাদনের ভিত্তি। এগুলি কম-ভোল্টেজ, কম-ফ্রিকোয়েন্সি এবং কম-পাওয়ার ট্রানজিস্টর এবং ডিটেক্টরগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। অর্ধপরিবাহী পণ্যের 90% এর বেশি...
আরও পড়ুন
কিভাবে SiC মাইক্রো পাউডার তৈরি করা হয়?
24-05-13 তারিখে অ্যাডমিন দ্বারা
SiC একক ক্রিস্টাল হল একটি গ্রুপ IV-IV যৌগিক অর্ধপরিবাহী উপাদান যা দুটি উপাদান, Si এবং C, 1:1 এর স্টোইচিওমেট্রিক অনুপাতে গঠিত। এর কঠোরতা হীরার পরেই দ্বিতীয়। SiC প্রস্তুত করার জন্য সিলিকন অক্সাইড পদ্ধতির কার্বন হ্রাস প্রধানত নিম্নলিখিত রাসায়নিক বিক্রিয়া সূত্রের উপর ভিত্তি করে...
আরও পড়ুন
কীভাবে এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলিকে সাহায্য করে?
24-05-13 তারিখে অ্যাডমিন দ্বারা
এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার নামের উৎপত্তি প্রথমে, আসুন একটি ছোট ধারণাকে জনপ্রিয় করা যাক: ওয়েফার প্রস্তুতিতে দুটি প্রধান লিঙ্ক রয়েছে: সাবস্ট্রেট প্রস্তুতি এবং এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়া। সাবস্ট্রেট হল সেমিকন্ডাক্টর একক স্ফটিক উপাদান দিয়ে তৈরি একটি ওয়েফার। সাবস্ট্রেট সরাসরি ওয়েফার উৎপাদনে প্রবেশ করতে পারে...
আরও পড়ুন
রাসায়নিক বাষ্প জমা (সিভিডি) পাতলা ফিল্ম জমা প্রযুক্তির পরিচিতি
24-05-06 তারিখে অ্যাডমিন দ্বারা
রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) হল একটি গুরুত্বপূর্ণ পাতলা ফিল্ম ডিপোজিশন প্রযুক্তি, প্রায়শই বিভিন্ন কার্যকরী ফিল্ম এবং পাতলা-স্তর সামগ্রী প্রস্তুত করতে ব্যবহৃত হয় এবং অর্ধপরিবাহী উত্পাদন এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। 1. CVD-এর কার্যকরী নীতি CVD প্রক্রিয়ায়, একটি গ্যাস পূর্বসূর (এক বা মো...
আরও পড়ুন
ফটোভোলটাইক সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের পিছনে "কালো সোনা" গোপন: আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইটের উপর আকাঙ্ক্ষা এবং নির্ভরতা
24-05-06 তারিখে অ্যাডমিন দ্বারা
আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট ফটোভোলটাইক্স এবং সেমিকন্ডাক্টরগুলির একটি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ উপাদান। দেশীয় আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট কোম্পানির দ্রুত বৃদ্ধির সাথে সাথে চীনে বিদেশী কোম্পানিগুলোর একচেটিয়া আধিপত্য ভেঙে গেছে। ক্রমাগত স্বাধীন গবেষণা এবং উন্নয়ন এবং প্রযুক্তিগত অগ্রগতির সাথে, ...
আরও পড়ুন
সেমিকন্ডাক্টর সিরামিক ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে গ্রাফাইট বোটগুলির প্রয়োজনীয় বৈশিষ্ট্যগুলি উন্মোচন করা
24-04-22 তারিখে অ্যাডমিন দ্বারা
গ্রাফাইট বোট, গ্রাফাইট বোট নামেও পরিচিত, সেমিকন্ডাক্টর সিরামিক উত্পাদনের জটিল প্রক্রিয়াগুলিতে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। এই বিশেষায়িত জাহাজগুলি উচ্চ-তাপমাত্রার চিকিত্সার সময় অর্ধপরিবাহী ওয়েফারগুলির জন্য নির্ভরযোগ্য বাহক হিসাবে কাজ করে, সুনির্দিষ্ট এবং নিয়ন্ত্রিত প্রক্রিয়াকরণ নিশ্চিত করে। সাথে...
আরও পড়ুন
চুল্লি টিউব সরঞ্জামের অভ্যন্তরীণ গঠন বিস্তারিতভাবে ব্যাখ্যা করা হয়েছে
24-04-22 তারিখে অ্যাডমিন দ্বারা
উপরে দেখানো হিসাবে, একটি সাধারণ প্রথমার্ধ: গরম করার উপাদান (হিটিং কয়েল): ফার্নেস টিউবের চারপাশে অবস্থিত, সাধারণত রেজিস্ট্যান্স তারের তৈরি, চুল্লি টিউবের ভিতরে গরম করতে ব্যবহৃত হয়। কোয়ার্টজ টিউব: একটি গরম অক্সিডেশন ফার্নেসের মূল, উচ্চ-বিশুদ্ধতা কোয়ার্টজ দিয়ে তৈরি যা উচ্চতা সহ্য করতে পারে...
আরও পড়ুন
MOSFET ডিভাইসের বৈশিষ্ট্যগুলিতে SiC সাবস্ট্রেট এবং এপিটাক্সিয়াল উপকরণের প্রভাব
24-04-16 তারিখে অ্যাডমিন দ্বারা
ত্রিভুজাকার ত্রুটি ত্রিভুজাকার ত্রুটিগুলি SiC এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির সবচেয়ে মারাত্মক আকারগত ত্রুটি। প্রচুর সংখ্যক সাহিত্য প্রতিবেদনে দেখানো হয়েছে যে ত্রিভুজাকার ত্রুটিগুলির গঠন 3C স্ফটিক ফর্মের সাথে সম্পর্কিত। যাইহোক, বিভিন্ন বৃদ্ধির প্রক্রিয়ার কারণে, অনেক tr এর রূপবিদ্যা...
আরও পড়ুন