সিলিকন ওয়েফারে VET Energy GaN হল একটি অত্যাধুনিক সেমিকন্ডাক্টর সলিউশন যা বিশেষভাবে রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (RF) অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। একটি সিলিকন সাবস্ট্রেটে উচ্চ-মানের গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) এপিটাক্সালি বৃদ্ধি করে, VET Energy RF ডিভাইসের বিস্তৃত পরিসরের জন্য একটি ব্যয়-কার্যকর এবং উচ্চ-পারফরম্যান্স প্ল্যাটফর্ম সরবরাহ করে।
সিলিকন ওয়েফারের এই GaN অন্যান্য উপকরণ যেমন Si Wafer, SiC সাবস্ট্রেট, SOI ওয়েফার, এবং SiN সাবস্ট্রেটের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, যা বিভিন্ন বানোয়াট প্রক্রিয়ার জন্য এর বহুমুখিতাকে প্রসারিত করে। উপরন্তু, এটি Epi Wafer এবং Gallium Oxide Ga2O3 এবং AlN Wafer-এর মতো উন্নত উপকরণগুলির সাথে ব্যবহারের জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে, যা উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক্সে এর অ্যাপ্লিকেশনগুলিকে আরও উন্নত করে। ওয়েফারগুলি ব্যবহার সহজে এবং উত্পাদন দক্ষতা বৃদ্ধির জন্য স্ট্যান্ডার্ড ক্যাসেট হ্যান্ডলিং ব্যবহার করে উত্পাদন সিস্টেমে নির্বিঘ্ন একীকরণের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।
VET Energy সি ওয়েফার, SiC সাবস্ট্রেট, SOI ওয়েফার, SiN সাবস্ট্রেট, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, এবং AlN Wafer সহ সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেটগুলির একটি বিস্তৃত পোর্টফোলিও অফার করে৷ আমাদের বৈচিত্র্যময় পণ্য লাইন বিভিন্ন ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনের চাহিদা পূরণ করে, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স থেকে শুরু করে RF এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্স পর্যন্ত।
সিলিকন ওয়েফারের GaN RF অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বিভিন্ন সুবিধা প্রদান করে:
• উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি কর্মক্ষমতা:GaN এর প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ এবং উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন সক্ষম করে, এটি 5G এবং অন্যান্য উচ্চ-গতির যোগাযোগ ব্যবস্থার জন্য আদর্শ করে তোলে।
• উচ্চ শক্তি ঘনত্ব:GaN ডিভাইসগুলি ঐতিহ্যগত সিলিকন-ভিত্তিক ডিভাইসগুলির তুলনায় উচ্চ শক্তির ঘনত্ব পরিচালনা করতে পারে, যা আরও কমপ্যাক্ট এবং দক্ষ আরএফ সিস্টেমের দিকে পরিচালিত করে।
• কম শক্তি খরচ:GaN ডিভাইসগুলি কম শক্তি খরচ প্রদর্শন করে, যার ফলে শক্তির দক্ষতা উন্নত হয় এবং তাপ অপচয় হয়।
অ্যাপ্লিকেশন:
• 5G বেতার যোগাযোগ:উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন 5G বেস স্টেশন এবং মোবাইল ডিভাইস তৈরির জন্য সিলিকন ওয়েফারগুলিতে GaN অপরিহার্য।
• রাডার সিস্টেম:GaN-ভিত্তিক RF পরিবর্ধক রাডার সিস্টেমে তাদের উচ্চ দক্ষতা এবং প্রশস্ত ব্যান্ডউইথের জন্য ব্যবহার করা হয়।
• স্যাটেলাইট যোগাযোগ:GaN ডিভাইসগুলি উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি স্যাটেলাইট যোগাযোগ ব্যবস্থা সক্ষম করে।
সামরিক ইলেকট্রনিক্স:GaN-ভিত্তিক RF উপাদানগুলি ইলেকট্রনিক যুদ্ধ এবং রাডার সিস্টেমের মতো সামরিক অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
VET Energy সিলিকন ওয়েফারগুলিতে কাস্টমাইজযোগ্য GaN অফার করে আপনার নির্দিষ্ট প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে, যার মধ্যে বিভিন্ন ডোপিং স্তর, বেধ এবং ওয়েফারের আকার রয়েছে। আমাদের বিশেষজ্ঞ দল আপনার সাফল্য নিশ্চিত করতে প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং বিক্রয়োত্তর পরিষেবা প্রদান করে।
ওয়েফারিং স্পেসিফিকেশন
*n-Pm=n-টাইপ Pm-গ্রেড, n-Ps=n-টাইপ Ps-গ্রেড,Sl=সেমি-এনসুলেটিং
আইটেম | 8-ইঞ্চি | 6-ইঞ্চি | 4-ইঞ্চি | ||
nP | n-Pm | n- Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
বো (GF3YFCD)-পরম মান | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
ওয়ার্প(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
ওয়েফার এজ | বেভেলিং |
সারফেস ফিনিশ
*n-Pm=n-টাইপ Pm-গ্রেড, n-Ps=n-টাইপ Ps-গ্রেড,Sl=সেমি-এনসুলেটিং
আইটেম | 8-ইঞ্চি | 6-ইঞ্চি | 4-ইঞ্চি | ||
nP | n-Pm | n- Ps | SI | SI | |
সারফেস ফিনিশ | ডাবল সাইড অপটিক্যাল পোলিশ, সি-ফেস সিএমপি | ||||
পৃষ্ঠের রুক্ষতা | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
এজ চিপস | কোনটি অনুমোদিত নয় (দৈর্ঘ্য এবং প্রস্থ≥0.5 মিমি) | ||||
ইন্ডেন্ট | অনুমতি নেই | ||||
স্ক্র্যাচ (সি-ফেস) | পরিমাণ।≤5, ক্রমবর্ধমান | পরিমাণ।≤5, ক্রমবর্ধমান | পরিমাণ।≤5, ক্রমবর্ধমান | ||
ফাটল | অনুমতি নেই | ||||
এজ এক্সক্লুশন | 3 মিমি |