VET Energy দ্বারা প্রদত্ত সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব্রিকেশনের জন্য 12 ইঞ্চি সিলিকন ওয়েফার সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে প্রয়োজনীয় সুনির্দিষ্ট মানগুলি পূরণ করার জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে। আমাদের লাইনআপের অন্যতম শীর্ষস্থানীয় পণ্য হিসাবে, VET Energy নিশ্চিত করে যে এই ওয়েফারগুলি সঠিক সমতলতা, বিশুদ্ধতা এবং পৃষ্ঠের গুণমান সহ উত্পাদিত হয়, যা মাইক্রোচিপ, সেন্সর এবং উন্নত ইলেকট্রনিক ডিভাইস সহ অত্যাধুনিক সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে।
এই ওয়েফারটি Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN সাবস্ট্রেট এবং Epi Wafer-এর মতো বিস্তৃত উপকরণের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, যা বিভিন্ন বানোয়াট প্রক্রিয়ার জন্য চমৎকার বহুমুখিতা প্রদান করে। উপরন্তু, এটি গ্যালিয়াম অক্সাইড Ga2O3 এবং AlN ওয়েফারের মতো উন্নত প্রযুক্তির সাথে ভালভাবে যুক্ত, এটি নিশ্চিত করে যে এটি অত্যন্ত বিশেষায়িত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে একত্রিত হতে পারে। মসৃণ ক্রিয়াকলাপের জন্য, ওয়েফারটিকে শিল্প-মান ক্যাসেট সিস্টেমের সাথে ব্যবহারের জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে, সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে দক্ষ পরিচালনা নিশ্চিত করে।
VET Energy-এর পণ্য লাইন সিলিকন ওয়েফারের মধ্যে সীমাবদ্ধ নয়। আমরা SiC সাবস্ট্রেট, SOI ওয়েফার, SiN সাবস্ট্রেট, Epi ওয়েফার, ইত্যাদির পাশাপাশি গ্যালিয়াম অক্সাইড Ga2O3 এবং AlN ওয়েফারের মতো নতুন প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর সামগ্রী সহ বিস্তৃত সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট উপকরণ সরবরাহ করি। এই পণ্যগুলি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি, সেন্সর এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে বিভিন্ন গ্রাহকদের অ্যাপ্লিকেশন চাহিদা মেটাতে পারে।
আবেদন ক্ষেত্র:
•লজিক চিপস:সিপিইউ এবং জিপিইউ-এর মতো উচ্চ-পারফরম্যান্স লজিক চিপ তৈরি করা।
•মেমরি চিপস:মেমরি চিপ যেমন DRAM এবং NAND ফ্ল্যাশের উত্পাদন।
•এনালগ চিপস:এনালগ চিপ যেমন ADC এবং DAC তৈরি করা।
•সেন্সর:MEMS সেন্সর, ইমেজ সেন্সর, ইত্যাদি
VET Energy গ্রাহকদের কাস্টমাইজড ওয়েফার সলিউশন সরবরাহ করে এবং গ্রাহকদের নির্দিষ্ট চাহিদা অনুযায়ী বিভিন্ন প্রতিরোধ ক্ষমতা, বিভিন্ন অক্সিজেন সামগ্রী, বিভিন্ন বেধ এবং অন্যান্য স্পেসিফিকেশন সহ ওয়েফারগুলি কাস্টমাইজ করতে পারে। উপরন্তু, আমরা গ্রাহকদের উত্পাদন প্রক্রিয়া অপ্টিমাইজ করতে এবং পণ্যের ফলন উন্নত করতে সহায়তা করার জন্য পেশাদার প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং বিক্রয়োত্তর পরিষেবা সরবরাহ করি।
ওয়েফারিং স্পেসিফিকেশন
*n-Pm=n-টাইপ Pm-গ্রেড, n-Ps=n-টাইপ Ps-গ্রেড,Sl=সেমি-এনসুলেটিং
আইটেম | 8-ইঞ্চি | 6-ইঞ্চি | 4-ইঞ্চি | ||
nP | n-Pm | n- Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
বো (GF3YFCD)-পরম মান | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
ওয়ার্প(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
ওয়েফার এজ | বেভেলিং |
সারফেস ফিনিশ
*n-Pm=n-টাইপ Pm-গ্রেড, n-Ps=n-টাইপ Ps-গ্রেড,Sl=সেমি-এনসুলেটিং
আইটেম | 8-ইঞ্চি | 6-ইঞ্চি | 4-ইঞ্চি | ||
nP | n-Pm | n- Ps | SI | SI | |
সারফেস ফিনিশ | ডাবল সাইড অপটিক্যাল পোলিশ, সি-ফেস সিএমপি | ||||
পৃষ্ঠের রুক্ষতা | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
এজ চিপস | কোনটি অনুমোদিত নয় (দৈর্ঘ্য এবং প্রস্থ≥0.5 মিমি) | ||||
ইন্ডেন্ট | কোনো অনুমতি নেই | ||||
স্ক্র্যাচ (সি-ফেস) | পরিমাণ।≤5, ক্রমবর্ধমান | পরিমাণ।≤5, ক্রমবর্ধমান | পরিমাণ।≤5, ক্রমবর্ধমান | ||
ফাটল | কোনো অনুমতি নেই | ||||
এজ এক্সক্লুশন | 3 মিমি |