8-инчовите силициеви пластини на VET Energy се използват широко в силовата електроника, сензорите, интегралните схеми и други области. Като лидер в производството на полупроводници, ние се ангажираме да предоставяме висококачествени Si Wafer продукти, за да отговорим на нарастващите нужди на нашите клиенти.
В допълнение към Si Wafer, VET Energy също така предоставя широка гама от полупроводникови субстратни материали, включително SiC субстрат, SOI Wafer, SiN субстрат, Epi Wafer и т.н. Нашата продуктова линия също така обхваща нови широколентови полупроводникови материали като галиев оксид Ga2O3 и AlN Wafer, осигуряваща силна подкрепа за разработването на следващо поколение силови електронни устройства.
VET Energy разполага с усъвършенствано производствено оборудване и цялостна система за управление на качеството, за да гарантира, че всяка вафла отговаря на строгите индустриални стандарти. Нашите продукти имат не само отлични електрически свойства, но и добра механична якост и термична стабилност.
VET Energy предоставя на клиентите персонализирани решения за вафли, включително вафли с различни размери, видове и допинг концентрации. В допълнение, ние също така предоставяме професионална техническа поддръжка и следпродажбено обслужване, за да помогнем на клиентите да решат различни проблеми, възникнали по време на производствения процес.
СПЕЦИФИКАЦИИ НА ВАФЛИТЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Лък (GF3YFCD)-Абсолютна стойност | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Изкривяване (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Скосяване |
ПОВЪРХНОСТНО ЗАВЪРШВАНЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Повърхностно покритие | Двустранно оптично полиране, Si-Face CMP | ||||
Грапавост на повърхността | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Крайни чипове | Няма разрешено (дължина и ширина≥0,5 mm) | ||||
Отстъпи | Няма разрешено | ||||
Драскотини (Si-Face) | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | ||
Пукнатини | Няма разрешено | ||||
Изключване на ръба | 3 мм |