Монокристалната 8-инчова силиконова пластина от VET Energy е водещо в индустрията решение за производство на полупроводници и електронни устройства. Предлагайки превъзходна чистота и кристална структура, тези пластини са идеални за приложения с висока производителност както във фотоволтаичната, така и в полупроводниковата индустрия. VET Energy гарантира, че всяка пластина е щателно обработена, за да отговаря на най-високите стандарти, осигурявайки отлична еднородност и гладка повърхност, които са от съществено значение за производството на усъвършенствани електронни устройства.
Тези монокристални 8-инчови силиконови пластини са съвместими с набор от материали, включително Si Wafer, SiC субстрат, SOI Wafer, SiN субстрат и са особено подходящи за растеж на Epi Wafer. Превъзходната им топлопроводимост и електрически свойства ги правят надежден избор за високоефективно производство. В допълнение, тези пластини са проектирани да работят безпроблемно с материали като галиев оксид Ga2O3 и AlN пластини, предлагайки широка гама от приложения от силова електроника до радиочестотни устройства. Вафлите също се вписват идеално в касетъчни системи за автоматизирани производствени среди с голям обем.
Продуктовата линия на VET Energy не се ограничава до силициеви пластини. Ние също така предоставяме широка гама от полупроводникови субстратни материали, включително SiC субстрат, SOI вафла, SiN субстрат, Epi вафла и т.н., както и нови широколентови полупроводникови материали като галиев оксид Ga2O3 и AlN вафла. Тези продукти могат да отговорят на нуждите от приложения на различни клиенти в силовата електроника, радиочестотите, сензорите и други области.
VET Energy предоставя на клиентите персонализирани решения за вафли. Можем да персонализираме пластини с различно съпротивление, съдържание на кислород, дебелина и т.н. според специфичните нужди на клиента. В допълнение, ние също така предоставяме професионална техническа поддръжка и следпродажбено обслужване, за да помогнем на клиентите да решат различни проблеми, възникнали по време на производствения процес.
СПЕЦИФИКАЦИИ НА ВАФЛИТЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Лък (GF3YFCD)-Абсолютна стойност | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Изкривяване (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Скосяване |
ПОВЪРХНОСТНО ЗАВЪРШВАНЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Повърхностно покритие | Двустранно оптично полиране, Si-Face CMP | ||||
Грапавост на повърхността | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Крайни чипове | Няма разрешено (дължина и ширина≥0,5 mm) | ||||
Отстъпи | Няма разрешено | ||||
Драскотини (Si-Face) | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | ||
Пукнатини | Няма разрешено | ||||
Изключване на ръба | 3 мм |