Bu 6 düymlük N tipli SiC vafli ekstremal şəraitdə təkmilləşdirilmiş performans üçün hazırlanmışdır ki, bu da onu yüksək güc və temperatur müqaviməti tələb edən tətbiqlər üçün ideal seçim edir. Bu vafli ilə əlaqəli əsas məhsullara Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer və SiN Substrate daxildir. Bu materiallar yarımkeçiricilərin müxtəlif istehsal proseslərində optimal performansı təmin edərək, həm enerjiyə qənaət edən, həm də davamlı olan cihazlara imkan verir.
Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette və ya AlN Wafer ilə işləyən şirkətlər üçün VET Energy-nin 6 Inch N Type SiC Wafer innovativ məhsul inkişafı üçün lazımi zəmin yaradır. İstər yüksək güclü elektronikada, istərsə də ən son RF texnologiyasında olsun, bu vaflilər əla keçiricilik və minimal istilik müqavimətini təmin edərək, səmərəlilik və performans sərhədlərini aşır.
VAFERİNİN XÜSUSİYYƏTLƏRİ
*n-Pm=n-tipli Pm-Qrade,n-Ps=n-tip Ps-Qrade,Sl=Yarım-izolyasiya
Maddə | 8-düym | 6-düym | 4-düym | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Yay(GF3YFCD)-Mütləq Dəyər | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Çarpma (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR) -10mmx10mm | <2μm | ||||
Gofret kənarı | Kəsmə |
Səthi bitirmə
*n-Pm=n-tipli Pm-Qrade,n-Ps=n-tip Ps-Qrade,Sl=Yarım-izolyasiya
Maddə | 8-düym | 6-düym | 4-düym | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Səthi bitirmə | İkitərəfli Optik Cila, Si-Face CMP | ||||
Səthi Kobudluq | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Kenar çipləri | İcazə verilmir (uzunluq və en≥0,5 mm) | ||||
Girintilər | Heç biri icazə verilmir | ||||
Cızıqlar (Si-Face) | Miqdar.≤5,Kumulyativ | Miqdar.≤5,Kumulyativ | Miqdar.≤5,Kumulyativ | ||
Çatlaqlar | Heç biri icazə verilmir | ||||
Kənar İstisna | 3 mm |