RTP/RTA üçün SiC Örtük Daşıyıcısı Yarımkeçiricilərin istehsalı proseslərində istifadə olunan Sürətli Termal Emal və Tavlama adlı əsas komponentdir, biz patentləşdirilmiş texnologiyamızdan silisium karbid daşıyıcısını son dərəcə yüksək təmizliyə, yaxşı örtük vahidliyinə və əla xidmət müddətinə malik etmək üçün istifadə edirik. həmçinin yüksək kimyəvi müqavimət və termal sabitlik xüsusiyyətləri.
Məhsullarımızın xüsusiyyətləri:
1. 1700 ℃-ə qədər yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti.
2. Yüksək təmizlik və istilik vahidliyi
3. Əla korroziyaya davamlılıq: turşu, qələvi, duz və üzvi reagentlər.
4. Yüksək sərtlik, kompakt səth, incə hissəciklər.
5. Daha uzun xidmət müddəti və daha davamlıdır
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-nin əsas fiziki xassələriörtük | |
| 性质 / Əmlak | 典型数值 / Tipik Dəyər |
| 晶体结构 / Kristal Struktur | FCC β fazası多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Sıxlıq | 3,21 q/sm³ |
| 硬度 / Sərtlik | 2500 维氏硬度（500g yük） |
| 晶粒大小 / Taxıl Ölçüsü | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Kimyəvi Saflıq | 99.99995% |
| 热容 / İstilik tutumu | 640 J·kq-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimasiya temperaturu | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Bükülmə Gücü | 415 MPa RT 4 nöqtəli |
| 杨氏模量 / Gəncin Modulu | 430 Gpa 4pt əyilmə, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalKeçiricilik | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Termal Genişlənmə (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy, SiC örtüyü, TaC örtüyü, şüşə karbon örtüyü, pirolitik karbon örtüyü və s. kimi müxtəlif örtüklərə malik fərdiləşdirilmiş qrafit və silisium karbid məhsullarının əsl istehsalçısıdır, yarımkeçiricilər və fotovoltaik sənaye üçün müxtəlif fərdiləşdirilmiş hissələri təmin edə bilər.
Texniki komandamız ən yaxşı yerli tədqiqat institutlarından gəlir, sizin üçün daha peşəkar material həlləri təqdim edə bilər.
Biz davamlı olaraq daha qabaqcıl materiallarla təmin etmək üçün qabaqcıl prosesləri inkişaf etdiririk və örtüklə substrat arasındakı əlaqəni daha sıx və qopmağa daha az meylli edə bilən eksklüziv patentləşdirilmiş texnologiya işləyib hazırlamışıq.
Fabrikimizə baş çəkməyinizi ürəkdən salamlayıram, gəlin daha çox müzakirə edək!
