AwọnSilikoni Carbide Ti a bo Iwe EpitaxialGbiyanju Lo ninuEpitaxial Furnace Equipmentti a ṣe ni Ilu China nipasẹ Vet Energy, eyiti o jẹ ọkan ninu awọn aṣelọpọ ati awọn olupese ni Ilu China. Ra Silicon Carbide BoIwe EpitaxialAtẹ Lo Ni Ilu ChinaEpitaxial Furnace Equipmentni owo kekere lati ile-iṣẹ wa. A ni awọn ami iyasọtọ tiwa ati pe a tun ṣe atilẹyin olopobobo. Ti o ba nifẹ si awọn ọja wa, a yoo fun ọ ni idiyele idunadura kan. Kaabo lati ra ọja ẹdinwo eyiti o jẹ tuntun ati didara julọ lati ọdọ wa.
Ile-iṣẹ wa pese awọn iṣẹ ilana ibora SiC nipasẹ ọna CVD lori oju ti graphite, awọn ohun elo amọ ati awọn ohun elo miiran, nitorinaa awọn gaasi pataki ti o ni erogba ati ohun alumọni fesi ni iwọn otutu giga lati gba awọn ohun elo SiC mimọ giga, awọn ohun elo ti a fi silẹ lori oju awọn ohun elo ti a bo, lara SIC aabo Layer.
Awọn ẹya akọkọ:
1. Idaabobo ifoyina otutu otutu:
resistance ifoyina tun dara pupọ nigbati iwọn otutu ba ga to 1600 C.
2. Iwa mimọ to gaju: ti a ṣe nipasẹ ifasilẹ ọru kemikali labẹ ipo chlorination otutu otutu.
3. Ogbara resistance: ga líle, iwapọ dada, itanran patikulu.
4. Ipata resistance: acid, alkali, iyo ati Organic reagents.
Awọn pato pataki ti CVD-SIC Ibo:
| Awọn ohun-ini SiC-CVD | ||
| Crystal Be | FCC β ipele | |
| iwuwo | g/cm³ | 3.21 |
| Lile | Vickers líle | 2500 |
| Iwọn Ọkà | μm | 2 ~ 10 |
| Kẹmika Mimo | % | 99.99995 |
| Agbara Ooru | J·kg-1· K-1 | 640 |
| Sublimation otutu | ℃ | 2700 |
| Agbara Felexural | MPa (RT 4-ojuami) | 415 |
| Modulu ọdọ | Gpa (4pt tẹ, 1300℃) | 430 |
| Imugboroosi Gbona (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Gbona elekitiriki | (W/mK) | 300 |
Kini idi ti o le yan oniwosan ẹranko?
1) a ni iṣeduro ọja to to.
2) iṣakojọpọ ọjọgbọn ṣe idaniloju iduroṣinṣin ọja. Ọja naa yoo jẹ jiṣẹ si ọ lailewu.
3) awọn ikanni eekaderi diẹ sii jẹ ki awọn ọja le firanṣẹ si ọ.
