Awọn iriri iṣakoso awọn iṣẹ akanṣe ọlọrọ ti iyalẹnu ati eniyan si awoṣe iṣẹ 1 ṣe pataki pataki ti ibaraẹnisọrọ agbari ati oye irọrun wa ti awọn ireti rẹ fun Ọjọgbọn China China Sic Boat ti gbe Silicon Wafers sinu tube Diffusion Diffusion Coating Furnace Tube, ibi-afẹde wa ti o ga julọ jẹ nigbagbogbo. lati ṣe ipo bi ami iyasọtọ ti o ga julọ ati tun lati ṣe itọsọna bi aṣaaju-ọna ni aaye wa. A ni idaniloju pe iriri iṣelọpọ wa ni ṣiṣẹda ọpa yoo gba igbẹkẹle alabara, Fẹ lati ṣe ifowosowopo ati ṣajọ-ṣẹda paapaa igba pipẹ ti o dara julọ pẹlu rẹ!
Awọn iriri iṣakoso awọn iṣẹ akanṣe ọlọrọ ti iyalẹnu ati eniyan si awoṣe iṣẹ 1 ṣe pataki pataki ti ibaraẹnisọrọ agbari ati oye irọrun wa ti awọn ireti rẹ funChina Gbe Silicon Wafers, Polycrystallie Silicon Wafer, Kaabo eyikeyi awọn ibeere rẹ ati awọn ifiyesi fun awọn ọja wa. A nireti lati ṣe agbekalẹ ibatan iṣowo igba pipẹ pẹlu rẹ ni ọjọ iwaju nitosi. Kan si wa loni. A jẹ alabaṣiṣẹpọ iṣowo akọkọ lati baamu awọn iwulo rẹ!
ỌjaDakosile
Silicon carbide Wafer Boat ti wa ni lilo pupọ bi dimu wafer ni ilana itankale iwọn otutu giga.
Awọn anfani:
Idaabobo iwọn otutu giga:lilo deede ni 1800 ℃
Ga gbona elekitiriki:deede si awọn ohun elo graphite
Lile giga:líle keji nikan si diamond, boron nitride
Idaabobo ipata:acid ti o lagbara ati alkali ko ni ipata si rẹ, ipata resistance jẹ dara ju tungsten carbide ati alumina.
Iwọn iwuwo:kekere iwuwo, sunmo si aluminiomu
Ko si abuku: kekere olùsọdipúpọ ti gbona imugboroosi
Gbona mọnamọna resistance:o le withstand didasilẹ otutu ayipada, koju gbona mọnamọna, ati ki o ni idurosinsin išẹ
Ti ara Properties Of SiC
Ohun ini | Iye | Ọna |
iwuwo | 3,21 g/cc | Rin-leefofo ati apa miran |
Ooru pato | 0,66 J/g °K | Pulsed lesa filasi |
Agbara Flexural | 450 MPa560 MPa | 4 ojuami tẹ, RT4 ojuami tẹ, 1300 ° |
Egugun lile | 2,94 MPa m1/2 | Microindentation |
Lile | 2800 | Vicker ká, 500g fifuye |
Rirọ ModulusYoung ká Modul | 450 GPa430 GPA | 4 pt tẹ, RT4 pt tẹ, 1300 °C |
Iwọn ọkà | 2 - 10 µm | SEM |
Gbona Properties Of SiC
Gbona Conductivity | 250 W/m °K | Lesa filasi ọna, RT |
Imugboroosi Gbona (CTE) | 4.5 x 10-6 °K | Iwọn otutu yara si 950 °C, silica dilatometer |