Olupese China SiC Ti a bo Graphite MOCVD Epitaxy Susceptor

Apejuwe kukuru:

Mimo <5ppm
‣ O dara doping uniformity
‣ Ga iwuwo ati adhesion
‣ Anti-ibajẹ ti o dara ati idena erogba

‣ Ọjọgbọn isọdi
‣ Akoko akoko kukuru
‣ Iduroṣinṣin ipese
‣ Iṣakoso didara ati ilọsiwaju nigbagbogbo

Apọju ti GaN lori oniyebiye(RGB / Mini / Micro LED);
Apọju ti GaN lori Si sobusitireti(UVC);
Apọju ti GaN lori Si sobusitireti(Ẹrọ Itanna);
Apọju ti Si on Si sobusitireti(Esepọ iyika);
Apọju ti SiC lori SiC Sobusitireti(Sobusitireti);
Apọju ti InP lori InP

Fi imeeli ranṣẹ si wa Ṣe igbasilẹ bi PDF

Alaye ọja

ọja Tags

Didara to gaju MOCVD Susceptor Ra online ni China

Wafer nilo lati kọja nipasẹ awọn igbesẹ pupọ ṣaaju ki o to ṣetan fun lilo ninu awọn ẹrọ itanna. Ilana pataki kan jẹ epitaxy silikoni, ninu eyiti a gbe awọn wafers lori awọn ifura graphite. Awọn ohun-ini ati didara awọn alailagbara ni ipa pataki lori didara Layer epitaxial wafer.

Fun awọn ipele ifisilẹ fiimu tinrin gẹgẹbi epitaxy tabi MOCVD, VET n pese awọn ohun elo graphitee-funfun ultra-pure ti a lo lati ṣe atilẹyin awọn sobusitireti tabi “awọn wafers”. Ni ipilẹ ilana naa, ohun elo yii, awọn ifura epitaxy tabi awọn iru ẹrọ satẹlaiti fun MOCVD, ni akọkọ ti tẹriba si agbegbe ifisilẹ:

Iwọn otutu to gaju.
Igbale giga.
Lilo ti ibinu gaseous awasiwaju.
Kontaminesonu odo, isansa ti peeling.
Resistance si lagbara acids nigba ninu mosi

Agbara VET jẹ olupese gidi ti lẹẹdi ti adani ati awọn ọja ohun alumọni carbide pẹlu ibora fun semikondokito ati ile-iṣẹ fọtovoltaic. Ẹgbẹ imọ-ẹrọ wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile ti o ga julọ, le pese awọn solusan ohun elo alamọdaju diẹ sii fun ọ.

A n ṣe idagbasoke awọn ilana ilọsiwaju nigbagbogbo lati pese awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju diẹ sii, ati pe a ti ṣiṣẹ imọ-ẹrọ itọsi iyasọtọ, eyiti o le jẹ ki isunmọ laarin ibora ati sobusitireti ṣinṣin ati ki o kere si itusilẹ.

Awọn ẹya ara ẹrọ ti awọn ọja wa:

1. Agbara ifoyina iwọn otutu to gaju to 1700 ℃.
2. Ga ti nw ati ki o gbona uniformity
3. O tayọ ipata resistance: acid, alkali, iyo ati Organic reagents.
4. Lile giga, dada iwapọ, awọn patikulu ti o dara.
5. Gigun iṣẹ igbesi aye ati diẹ sii ti o tọ

CVD SiC薄膜基本物理性能 Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCti a bo
性质 / Ohun ini	典型数值 / Aṣoju Iye
晶体结构 / Crystal Be	FCC β ipele多晶，主要为（111)取向
密度 / iwuwo	3.21 g/cm³
硬度 / Lile	2500 维氏硬度 (ẹrù 500g)
晶粒大小 / Ọkà SiZe	2 ~ 10μm
纯度 / Kemikali ti nw	99.99995%
热容 / Ooru Agbara	640 · kg^-1· K^-1
升华温度 / Sublimation otutu	2700 ℃
抗弯强度 / Agbara Flexural	415 MPa RT 4-ojuami
杨氏模量 / Young's Modul	430 Gpa 4pt tẹ, 1300 ℃
导热系数 / ThermalIwa ihuwasi	300W·m^-1· K^-1
热膨胀系数 / Imugboroosi Gbona (CTE)	4.5×10^-6K^-1